100mm 4inch GaN i luga o le Safaira Epi-layer wafer Gallium nitride epitaxial wafer

Fa'amatalaga Puupuu:

Gallium nitride epitaxial pepa o se sui masani o le tupulaga lona tolu o le lautele gap gap semiconductor epitaxial material, o loʻo i ai mea sili ona lelei e pei o le vaeluaga o le vaeluaga, maualuga le malepelepe malosi o le fanua, maualuga le vevela, maualuga eletise eletise eletise, malosi malosi faʻavevela ma maualuga. mautu o vailaau.


Fa'amatalaga Oloa

Faailoga o oloa

Le faagasologa o le tuputupu aʻe o le GaN lanumoana LED quantum well structure.Fa'amatalaga fa'agasologa fa'agasologa e fa'apea

(1) O le taoina o le vevela maualuga, o le safaira substrate e muamua faʻamafanafanaina i le 1050 ℃ i totonu o le hydrogen atemosifia, o le faʻamoemoe o le faʻamama lea o le substrate;

(2) Pe a pa'ū le vevela o le substrate i le 510 ℃, o se paʻu paʻu maualalo GaN / AlN ma le mafiafia o le 30nm e teuina i luga o le safaira substrate;

(3) O le maualuga o le vevela i le 10 ℃, o le kasa tali atu o le ammonia, trimethylgallium ma le silane o loʻo tui, faʻatonutonu le fua faatatau o le tafe, ma le N-type GaN o le 4um mafiafia ua tupu aʻe;

(4) O le kasa faʻaalia o le trimethyl alumini ma le trimethyl gallium na faʻaaogaina e saunia ai le silicon-doped N-type A⒑ konetineta ma le mafiafia o le 0.15um;

(5) 50nm Zn-doped InGaN na saunia e ala i le tuiina o le trimethylgallium, trimethylindium, diethylzinc ma le amonia i le vevela o le 8O0℃ ma le pulea o fua faatatau eseese;

(6) Na faʻatuputeleina le vevela i le 1020 ℃, trimethylaluminum, trimethylgallium ma bis (cyclopentadienyl) magnesium na tui e saunia 0.15um Mg doped P-ituaiga AlGaN ma 0.5um Mg doped P-ituaiga G kulukose toto;

(7) O le maualuga o le P-ituaiga GaN Sibuyan ata tifaga na maua e ala i le faʻafefe i le ea o le nitrogen i le 700 ℃;

(8) Tusia i luga o le P-ituaiga G stasis luga e faʻaalia ai le N-ituaiga G stasis luga;

(9) Fa'asao o Ni / Au fa'afeso'ota'i papatusi i luga o p-GaNI luga, fa'asao o △ / Al fa'afeso'ota'i ipu i luga ole ll-GaN luga e fausia electrodes.

Fa'amatalaga

Aitema

GaN-TCU-C100

GaN-TCN-C100

Fua

e 100 mm ± 0.1 mm

mafiafia

4.5±0.5um E mafai ona faʻapitoa

Fa'atonuga

C-vaalele(0001) ±0.5°

Ituaiga Fa'aoso

N-ituaiga (Ua le fa'asaoina)

Ituaiga N (Si-doped)

Tete'e(300K)

<0.5 Q・cm

<0.05 Q・cm

Fa'atauva'a

<5x1017cm-3

> 1x1018cm-3

Fe'avea'i

~ 300 cm2/Vs

~ 200 cm2/Vs

Dislocation Density

E itiiti ifo i le 5x108cm-2(fa'atatau e FWHM a XRD)

Fa'apalapala

GaN i luga o le Safaira(Tulaga: SSP Filifiliga: DSP)

Fa'aaogā Laufanua

> 90%

afifi

Faʻapipiʻiina i totonu o le vasega 100 potu mama siosiomaga, i kaseti o le 25pcs poʻo ni pusa faʻapipiʻi tasi, i lalo o se siosiomaga nitrogen.

Auiliili Ata

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