2 inisi Sic silicon carbide mea'ai 6H-N Ituaiga 0.33mm 0.43mm fa'aiila fa'afafa'ifa'atasiga maualuga fa'avevela fa'avevela maualalo le fa'aogaina o le mana.
O uiga ia o le 2inch silicon carbide wafer
1. Malosi: Mohs maaa e tusa ma le 9.2.
2. fausaga tioata: fausaga lattice hexagonal.
3. O le maualuga o le vevela: o le faʻaogaina o le vevela o le SiC e sili atu le maualuga nai lo le silikoni, lea e faʻamalosia ai le faʻafefe lelei o le vevela.
4. Vaeluaga vaʻavaʻa: o le va o le SiC e tusa ma le 3.3eV, talafeagai mo le maualuga o le vevela, maualuga taimi ma le mana maualuga.
5. Faʻaleagaina le eletise eletise ma le eletise eletise: maualuga le malepelepe eletise eletise ma le eletise eletise, talafeagai mo masini eletise eletise lelei e pei ole MOSFET ma IGBTs.
6. Faʻamautu faʻamaʻi ma le faʻasaʻoina o le radiation: talafeagai mo siosiomaga faigata e pei o le aerospace ma le puipuiga a le atunuu. Lelei faʻamalosi faʻamalosi, acid, alkali ma isi vailaʻau vailaʻau.
7. Malosi faʻainisinia maualuga: Malosi faʻainisinia sili i lalo o le vevela maualuga ma le maualuga o le siosiomaga.
E mafai ona faʻaaogaina lautele i le malosi maualuga, maualuga taimi ma le maualuga o le vevela mea faʻaeletoroni, e pei o le ultraviolet photodetectors, photovoltaic inverters, taavale eletise PCUs, ma isi.
2inch silicon carbide wafer e tele faʻaoga.
1.Power mea faʻaeletoroni: faʻaaogaina e gaosia ai le malosi maualuga MOSFET, IGBT ma isi masini, faʻaaogaina lautele i le suiga o le mana ma taavale eletise.
2.Rf masini: I fesoʻotaʻiga fesoʻotaʻiga, e mafai ona faʻaogaina le SiC i faʻasalalauga maualuga ma faʻamalosi eletise RF.
3.Photoelectric masini: e pei ole SIC-faʻavae taʻitaʻia, aemaise ile lanumoana ma le ultraviolet.
4.Sensors: Ona o le maualuga o le vevela ma le faʻamaʻiina o vailaʻau, e mafai ona faʻaogaina le SiC substrates e gaosia ai masini vevela maualuga ma isi mea faʻaoga.
5.Military ma aerospace: ona o le maualuga o le vevela ma le maualuga o le malosi o uiga, e talafeagai mo le faʻaogaina i siosiomaga ogaoga.
Ole vaega autu ole talosaga ole 6H-N ituaiga 2 "SIC substrate e aofia ai taavale malosi fou, eletise eletise maualuga ma nofoaga suiga, oloa paʻepaʻe, nofoaafi televave, afi, photovoltaic inverter, eletise eletise ma isi.
XKH e mafai ona faʻavasegaina ma mafiafia eseese e tusa ai ma manaʻoga o tagata faʻatau. O lo'o maua ni togafitiga fa'alilolilo eseese. Eseese ituaiga o doping (pei o le nitrogen doping) e lagolagoina. O le taimi faʻasalalau masani e 2-4 vaiaso, faʻatatau i le faʻatulagaina. Fa'aoga mea fa'apipi'i fa'aanti-static ma foam anti-seismic e fa'amautinoa ai le saogalemu o le mea'ai. O lo'o maua avanoa eseese o fela'ua'iga, ma e mafai e tagata fa'atau ona siaki le tulaga o fa'amaumauga i le taimi moni e ala i le numera siaki ua tu'uina atu. Tuuina atu fesoasoani faʻapitoa ma faʻatalanoaga auaunaga e faʻamautinoa ai e mafai e tagata faʻatau ona foia faʻafitauli i le faagasologa o le faʻaaogaina.