P-type SiC wafer 4H/6H-P 3C-N 6 inisi le mafiafia 350 μm ma le Fa'asinomaga Laulau Muamua
Fa'amatalaga 4H/6H-P Ituaiga SiC Composite Substrates Laulau fa'asologa masani
6 inisi le lautele o le Silicon Carbide (SiC) Substrate Fa'amatalaga
| Vasega | Leai se gaosiga o le MPDVasega (Z) Vasega) | Gaosiga MasaniVasega (P Vasega) | Vasega Fa'ata'ita'i (D Vasega) | ||
| Lapoa | 145.5 mm~150.0 mm | ||||
| Mafiafia | 350 μm ± 25 μm | ||||
| Fa'asinomaga o le Wafer | -Off'au: 2.0°-4.0° agai atu i le [1120] ± 0.5° mo le 4H/6H-P, I luga o le 'au:〈111〉± 0.5° mo le 3C-N | ||||
| Mafiafia o le Micropipe | 0 cm-2 | ||||
| Tete'e | ituaiga-p 4H/6H-P | ≤0.1 Ωꞏcm | ≤0.3 Ωꞏcm | ||
| ituaiga-n 3C-N | ≤0.8 mΩꞏcm | ≤1 m Ωꞏcm | |||
| Fa'asinomaga Laulau Muamua | 4H/6H-P | -{1010} ± 5.0° | |||
| 3C-N | -{110} ± 5.0° | ||||
| Umi Mafolafola Autū | 32.5 mm ± 2.0 mm | ||||
| Umi Mafolafola Lona Lua | 18.0 mm ± 2.0 mm | ||||
| Fa'asinomaga Mafolafola Lona Lua | Fa'asaga i luga o le Silicon: 90° CW. mai le Prime flat ± 5.0° | ||||
| Tuusaunoaga o le Pito | 3 milimita | 6 milimita | |||
| LTV/TTV/Aufana/Vau | ≤2.5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm | ≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm | |||
| Fa'alavelave | Polani Ra≤1 nm | ||||
| CMP Ra≤0.2 nm | Ra≤0.5 nm | ||||
| Māvaevae o Pito i le Malamalama Malosi | Leai se tasi | Umi fa'aputu ≤ 10 mm, umi e tasi ≤2 mm | |||
| Papa Hex e ala i le Malamalama Malosi Maualuga | Eria fa'aputu ≤0.05% | Eria fa'aputu ≤0.1% | |||
| Vaega Polytype e ala i le Malamalama Malosi Maualuga | Leai se tasi | Eria fa'aputu ≤3% | |||
| Fa'aaofia o le Carbon Va'aia | Eria fa'aputu ≤0.05% | Eria fa'aputu ≤3% | |||
| Maosi o le Silikon i le Malamalama Malosi | Leai se tasi | Umi fa'aputu ≤1 × lautele o le wafer | |||
| Fa'amamago Maualuga le Pito i le Malamalama Malosi | E leai se mea e fa'atagaina ≥0.2mm le lautele ma le loloto | 5 fa'atagaina, ≤1 mm ta'itasi | |||
| Fa'aleagaina o le Silikon i luga e ala i le malosi tele | Leai se tasi | ||||
| Afifiina | Kaseti Wafer e tele pe Pusa Wafer e tasi | ||||
Fa'amatalaga:
※ E fa'atatau tapula'a o fa'aletonu i le fogāeleele atoa o le wafer vagana ai le vaega e le aofia ai pito. # E tatau ona siaki ia maosi i luga o le Si fa'atafafā o
O le P-type SiC wafer, 4H/6H-P 3C-N, faatasi ai ma lona tele e 6-inisi ma le mafiafia e 350 μm, e taua tele lona sao i le gaosiga faapisinisi o mea eletise eletise e maualuga le faatinoga. O lona lelei tele o le conductivity thermal ma le maualuga o le breakdown voltage e fetaui lelei mo le gaosiga o vaega e pei o power switches, diodes, ma transistors e faaaogaina i siosiomaga e maualuga le vevela e pei o taavale eletise, power grids, ma faiga o le malosiaga faafouina. O le gafatia o le wafer e faagaoioi lelei i tulaga faigata e mautinoa ai le faatuatuaina o le faatinoga i galuega faapisinisi e manaomia ai le maualuga o le malosiaga ma le lelei o le malosiaga. E le gata i lea, o lona tulaga mafolafola autu e fesoasoani i le faatulagaina sa'o i le taimi o le gaosiga o masini, faaleleia atili ai le lelei o le gaosiga ma le tutusa o oloa.
O fa'amanuiaga o mea fa'apipi'i SiC ituaiga-N e aofia ai
- Fa'avevela MaualugaE fa'aitiitia lelei e wafers SiC ituaiga-P le vevela, ma avea ai ma mea lelei mo fa'aoga i le vevela maualuga.
- Voltage Malepelepe MaualugaE mafai ona tatalia le maualuga o le voltage, ma mautinoa ai le faʻatuatuaina i masini eletise ma masini maualuga le voltage.
- Tete'e i Siosiomaga Faigata: Tumau lelei i tulaga faigata, e pei o le vevela maualuga ma siosiomaga e 'aina.
- Suiga Lelei o le MalosiagaO le fa'aogaina o le ituaiga-P e fa'afaigofie ai le fa'aaogaina lelei o le eletise, ma avea ai le wafer ma mea e talafeagai mo faiga e liua ai le malosi.
- Fa'asinomaga Laulau Muamua: Mautinoa le sa'o lelei o le fa'atulagaina i le taimi o le gaosiga, fa'aleleia atili ai le sa'o ma le tutusa o le masini.
- Fausaga Manifi (350 μm)O le mafiafia sili ona lelei o le wafer e lagolagoina ai le tuʻufaʻatasia i totonu o masini eletise faʻaonaponei ma faʻatapulaʻaina i le avanoa.
I le aotelega, o le P-type SiC wafer, 4H/6H-P 3C-N, e ofoina atu ai le tele o faʻamanuiaga e matua talafeagai ai mo galuega faʻapisinisi ma mea faʻaeletoronika. O lona maualuga o le thermal conductivity ma le breakdown voltage e mafai ai ona faʻagaoioia ma le faʻatuatuaina i siosiomaga maualuga le vevela ma le maualuga o le voltage, aʻo lona teteʻe atu i tulaga faigata e faʻamautinoa ai le tumau. O le P-type doping e mafai ai ona faʻaliliuina lelei le eletise, ma avea ai ma mea lelei mo eletise eletise ma faiga faʻaeletoronika. E le gata i lea, o le faʻatulagaina muamua o le wafer e faʻamautinoa ai le saʻo lelei i le taimi o le gaosiga, ma faʻaleleia atili ai le tutusa o le gaosiga. Faatasi ai ma le mafiafia o le 350 μm, e matua fetaui lelei mo le tuʻufaʻatasia i masini faʻaonaponei ma laiti.
Ata Auiliili
