200mm 8inisi GaN i luga o le safaira Epi-layer wafer substrate
Fa'atomuaga o le oloa
O le 8-inisi GaN-on-Sapphire substrate o se mea semiconductor maualuga le tulaga lelei e faia i se vaega o le Gallium Nitride (GaN) e tupu aʻe i luga o se Sapphire substrate. O lenei mea e ofoina atu ni meatotino lelei tele o felauaiga eletise ma e fetaui lelei mo le gaosiga o masini semiconductor e maualuga le malosi ma le televave.
Metotia Gaosiga
O le faagasologa o le gaosiga e aofia ai le tuputupu aʻe epitaxial o se vaega GaN i luga o se substrate Sapphire e faʻaaoga ai metotia faʻaonaponei e pei o le metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) poʻo le molecular beam epitaxy (MBE). O le deposition e faia i lalo o tulaga faʻatonutonuina e faʻamautinoa ai le maualuga o le tulaga lelei o le tioata ma le tutusa o le ata tifaga.
Talosaga
O le 8-inisi GaN-on-Sapphire substrate e maua ai le tele o faʻaoga i vaega eseese e aofia ai fesoʻotaʻiga microwave, radarsystems, tekinolosi uaealesi, ma optoelectronics. O nisi o faʻaoga masani e aofia ai:
1. Fa'amalosi eletise RF
2. Alamanuia moli LED
3. Masini feso'ota'iga feso'ota'iga uaealesi
4. Masini eletise mo siosiomaga e maualuga le vevela
5. Omasini eletise
Fa'amatalaga o le Oloa
-Fua: O le tele o le substrate e 8 inisi (200 mm) le lautele.
- Tulaga Lelei o le Luga: Ua fa'apupula le luga i se tulaga maualuga o le lamolemole ma e faaalia ai le tulaga lelei tele e pei o se fa'ata.
- Mafiafia: E mafai ona fa'apitoa le mafiafia o le vaega GaN e fa'atatau i mana'oga fa'apitoa.
- Afifiina: O le mea fa'apipi'i ua fa'aputuina ma le fa'aeteete i mea e tete'e ai i le vai e puipuia ai mai le fa'aleagaina i le taimi e feavea'i ai.
- Fa'asinomaga Mafolafola: O le mea fa'avae e iai sona fa'asinomaga mafolafola fa'apitoa e fesoasoani ai i le fa'atulagaina o le wafer ma le fa'aogaina i le taimi o le gaosiga o le masini.
- Isi fa'atulagaga: O fa'amatalaga patino o le mafiafia, tete'e, ma le malosi o le dopant e mafai ona fa'atulagaina e tusa ai ma mana'oga o tagata fa'atau.
Faatasi ai ma ona meatotino sili ona lelei ma ona faʻaoga eseese, o le 8-inisi GaN-on-Sapphire substrate o se filifiliga faatuatuaina mo le atinaʻeina o masini semiconductor maualuga le faatinoga i le tele o alamanuia.
E ese mai le GaN-On-Sapphire, e mafai foi ona matou ofoina atu i le matata o talosaga mo masini eletise, o le aiga oloa e aofia ai le 8-inisi AlGaN/GaN-on-Si epitaxial wafers ma le 8-inisi P-cap AlGaN/GaN-on-Si epitaxial wafers. I le taimi lava e tasi, na matou faʻafouina le faʻaaogaina o lana lava tekinolosi faʻatekonolosi GaN epitaxy 8-inisi i le matata o le microwave, ma atiaʻe se 8-inisi AlGaN/GAN-on-HR Si epitaxy wafer e tuʻufaʻatasia ai le maualuga o le faʻatinoga ma le tele, tau maualalo ma fetaui ma le faʻagasologa masani o masini 8-inisi. I le faʻaopoopoga i le silicon-based gallium nitride, o loʻo ia i matou foʻi se laina oloa o AlGaN/GaN-on-SiC epitaxial wafers e faʻafetaui ai manaʻoga o tagata faʻatau mo mea e faʻatekonolosi gallium nitride e faʻavae i le silicon.
Ata Auiliili
