2inch 3inch 4inch InP epitaxial wafer substrate APD malamalama malamalama mo feso'ota'iga fiber optic po'o LiDAR
O vaega taua o le InP laser epitaxial pepa e aofia ai
1. Fa'aili va'aiga uiga: InP o lo'o i ai se va vaapiapi pu'upu'u, lea e talafeagai mo le umi-galu infrared malamalama malamalama, aemaise lava i le galu umi o le 1.3μm i le 1.5μm.
2. Fa'atinoga fa'apitoa: InP epitaxial film e lelei le fa'atinoina o galuega, e pei o le malosi o le malamalama ma le fa'aogaina o le quantum i fafo i galu eseese. Mo se faʻataʻitaʻiga, i le 480 nm, o le mana susulu ma le faʻaogaina o le quantum i fafo o le 11.2% ma le 98.8%, i le faasologa.
3. Va'aiga malosi: InP nanoparticles (NPs) o lo'o fa'aalia ai le fa'aluaina o amioga pala i le taimi o le tuputupu a'e o le epitaxial. O le taimi vave pala e fa'atatau i le tui o le va'a i totonu o le InGaAs layer, a'o le fa'agesegese o le taimi e feso'ota'i ma le toe tu'ufa'atasia i totonu o InP NPs.
4. Uiga maualuga o le vevela: AlGaInAs / InP quantum well material e sili ona lelei le faʻatinoga i le maualuga o le vevela, lea e mafai ona puipuia lelei ai le tafe o le vaitafe ma faʻaleleia uiga maualuga o le vevela o le laser.
5. Fa'agasologa o le gaosiga: InP epitaxial laupepa e masani ona tupu i luga o le substrate e le molecular beam epitaxy (MBE) po'o le fa'aogaina o le ausa vaila'au fa'a-organic (MOCVD) tekinolosi e ausia ai ata maualuga.
O nei uiga e maua ai le InP laser epitaxial wafers e taua tele faʻaoga i fesoʻotaʻiga fiber opitika, faʻasalalauga ki quantum ma le iloa mamao mamao.
O fa'aoga autu ole InP laser epitaxial tablets e aofia ai
1. Photonics: InP lasers ma detectors o loʻo faʻaaogaina lautele i fesoʻotaʻiga faʻapitoa, nofoaga autu o faʻamatalaga, ata infrared, biometrics, 3D sensing ma LiDAR.
2. Feso'ota'iga: InP meafaitino e iai fa'aoga taua i le tele-tele fa'atasi o le silicon-based long wavelength lasers, aemaise lava i feso'ota'iga fiber opitika.
3. Infrared lasers: Fa'aogaina o le InP-based quantum well lasers i totonu o le ogatotonu o le infrared band (e pei o le 4-38 microns), e aofia ai le fa'alogoina o le kesi, fa'amatalaga pa ma ata infrared.
4. Silicon photonics: E ala i tekinolosi tu'ufa'atasiga eseese, o le InP leisa e fa'afeiloa'i i se mea e fa'atatau i le silicon e fausia ai se fa'avae tu'ufa'atasiga optoelectronic silicon multifunctional.
5.High performance lasers: InP meafaitino e faʻaaogaina e gaosia ai lasers maualuga, e pei o InGaAsP-InP transistor lasers ma le umi o le galu o le 1.5 microns.
O loʻo tuʻuina atu e le XKH faʻapitoa InP epitaxial wafers ma fausaga eseese ma mafiafia, e aofia ai le tele o faʻaoga e pei o fesoʻotaʻiga opitika, masini, 4G / 5G nofoaga autu, ma isi mea. O oloa a le XKH o loʻo gaosia e faʻaogaina ai masini MOCVD faʻapitoa e faʻamautinoa ai le maualuga ma le faʻamaoni. I tulaga o logistics, XKH o loʻo i ai le tele o auala faʻavaomalo faʻavaomalo, e mafai ona faʻafetaui le numera o faʻatonuga, ma tuʻuina atu auaunaga faʻapitoa e pei o le thinning, segmentation, ma isi. tulaga lelei ma taimi tilivaina. A maeʻa ona taunuʻu, e mafai e tagata faʻatau ona maua le lagolago faʻapitoa faʻapitoa ma le maeʻa faʻatau atu ina ia mautinoa o loʻo faʻaogaina lelei le oloa.