2 inisi 3 inisi 4 inisi InP epitaxial wafer substrate APD light detector mo feso'ota'iga fiber optic po'o LiDAR
O vaega autū o le pepa epitaxial laser InP e aofia ai
1. Uiga o le va o fusi: O le InP e iai se vaapiapi o fusi, lea e talafeagai mo le iloa o le malamalama infrared e umi le galu, aemaise lava i le vaega o le galu e 1.3μm i le 1.5μm.
2. Fa'atinoga opitika: O le ata tifaga epitaxial InP e iai le fa'atinoga lelei opitika, e pei o le malosi o le malamalama ma le lelei o le quantum i fafo i galu eseese. Mo se fa'ata'ita'iga, i le 480 nm, o le malosi o le malamalama ma le lelei o le quantum i fafo e 11.2% ma le 98.8%, i le fa'asologa.
3. Fa'agaioiga o le Aveta'avale: O lo'o fa'aalia e InP nanoparticles (NPs) se amioga fa'aluaina o le fa'asolosolo o le pala i le taimi o le tuputupu a'e epitaxial. O le taimi vave o le pala e mafua mai i le tuiina o le aveta'avale i totonu o le vaega InGaAs, ae o le taimi lemu o le pala e feso'ota'i ma le toe fa'afouina o le aveta'avale i InP NPs.
4. Uiga o le vevela maualuga: O le mea e fa'aaogaina ai le vaieli kuantum AlGaInAs/InP e sili ona lelei lona fa'atinoga i le vevela maualuga, lea e mafai ona puipuia lelei ai le tafe o le vai ma fa'aleleia atili ai uiga o le laser mai le vevela maualuga.
5. Faiga o gaosiga: E masani ona totoina pepa epitaxial InP i luga o le substrate e ala i le molecular beam epitaxy (MBE) poʻo le tekinolosi metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) e ausia ai ni ata tifaga maualuga le lelei.
O nei uiga ua avea ai le InP laser epitaxial wafers ma faʻaoga taua i fesoʻotaʻiga alava opitika, tufatufaina atu o ki kuantum ma le iloa mamao opitika.
O fa'aoga autū o papa epitaxial laser InP e aofia ai
1. Photonics: O leisa InP ma masini e iloa ai mea e fa'aaogaina lautele i feso'ota'iga va'ai, nofoaga autu o fa'amaumauga, ata infrared, biometrics, 3D sensing ma LiDAR.
2. Fesootaiga: O meafaitino InP e iai ona fa'aoga taua i le tu'ufa'atasia tele o leisa uumi-galu e fa'avae i le silicon, aemaise lava i feso'ota'iga alava opitika.
3. Lasers infrared: Fa'aaogāga o lasers quantum well e fa'avae i luga o le InP i le vaega ogatotonu o le infrared (e pei o le 4-38 microns), e aofia ai le iloa o le kesi, iloa o mea pāpā ma le ata infrared.
4. Silicon photonics: E ala i le tekinolosi tu'ufa'atasiga heterogeneous, e fa'aliliuina atu le InP laser i se substrate fa'avae i le silicon e fausia ai se fa'avae tu'ufa'atasiga optoelectronic silicon multifunctional.
5. Lasers fa'atinoga maualuga: E fa'aaogaina mea InP e gaosia ai lasers fa'atinoga maualuga, e pei o lasers transistor InGaAsP-InP ma le umi o le galu e 1.5 microns.
E ofoina atu e le XKH ni wafer epitaxial InP fa'apitoa ma ni fausaga ma ni mafiafia eseese, e aofia ai le tele o fa'aoga e pei o feso'ota'iga va'ai, masini fa'alogo, nofoaga autu 4G/5G, ma isi. O oloa a le XKH e gaosia e fa'aaoga ai masini fa'aonaponei a le MOCVD e fa'amautinoa ai le maualuga o le fa'atinoga ma le fa'atuatuaina. I tulaga o lo'o fa'atinoina ai fe'au, e tele auala fa'avaomalo o lo'o maua mai le XKH, e mafai ona taulimaina ma le fetu'una'i le tele o oka, ma tu'uina atu auaunaga fa'aopoopo taua e pei o le fa'aitiitia o le mamafa, vaevaega, ma isi. O faiga fa'atino lelei e fa'amautinoa ai le tu'uina atu i le taimi atofaina ma fa'amalieina mana'oga o tagata fa'atau mo le lelei ma taimi e tu'uina atu ai. A mae'a ona taunu'u mai, e mafai e tagata fa'atau ona maua le lagolago fa'apitoa atoatoa ma le auaunaga pe a uma le fa'atau atu e fa'amautinoa ai o lo'o fa'aaogaina lelei le oloa.
Ata Auiliili



