4 inisi SiC Wafers 6H Semi-Insulating SiC Substrates prime, research, ma dummy grade
Fa'amatalaga o le Oloa
| Vasega | Vasega Gaosiga o le Zero MPD (Vasega Z) | Vasega Gaosiga Masani (Vasega P) | Vasega Fa'ata'ita'i (Vasega D) | ||||||||
| Lapoa | 99.5 mm~100.0 mm | ||||||||||
| 4H-SI | 500 μm±20 μm | 500 μm±25 μm | |||||||||
| Fa'asinomaga o le Wafer |
Ese mai le itu: 4.0° agai i le <1120> ±0.5° mo le 4H-N, I luga o le itu: <0001>±0.5° mo le 4H-SI | ||||||||||
| 4H-SI | ≤1cm-2 | ≤5 senitimita-2 | ≤15 senitimita-2 | ||||||||
| 4H-SI | ≥1E9 Ω·cm | ≥1E5 Ω·cm | |||||||||
| Fa'asinomaga Laulau Muamua | {10-10} ±5.0° | ||||||||||
| Umi Mafolafola Autū | 32.5 mm±2.0 mm | ||||||||||
| Umi Mafolafola Lona Lua | 18.0 mm±2.0 mm | ||||||||||
| Fa'asinomaga Mafolafola Lona Lua | Sikoline fa'asaga i luga: 90° CW. mai le Prime flat ±5.0° | ||||||||||
| Tuusaunoaga o le Pito | 3 milimita | ||||||||||
| LTV/TTV/Aufana/Vau | ≤3 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm | ≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm | |||||||||
| Fa'alavelave | foliga C | Polish | Ra≤1 nm | ||||||||
| Si foliga | CMP | Ra≤0.2 nm | Ra≤0.5 nm | ||||||||
| Māvaevae o Pito i le Malamalama Malosi | Leai se tasi | Umi fa'aputu ≤ 10 mm, tasi umi≤2 mm | |||||||||
| Papa Hex e ala i le Malamalama Malosi Maualuga | Eria fa'aputu ≤0.05% | Eria fa'aputu ≤0.1% | |||||||||
| Vaega Polytype e ala i le Malamalama Malosi Maualuga | Leai se tasi | Eria fa'aputu ≤3% | |||||||||
| Fa'aaofia o le Carbon Va'aia | Eria fa'aputu ≤0.05% | Eria fa'aputu ≤3% | |||||||||
| Maosi o le Silikon i le Malamalama Malosi | Leai se tasi | Umi fa'aputu ≤1*lautele o le wafer | |||||||||
| Fa'amamago Maualuga le Pito i le Malamalama Malosi | E leai se mea e fa'atagaina ≥0.2 mm le lautele ma le loloto | 5 fa'atagaina, ≤1 mm ta'itasi | |||||||||
| Fa'aleagaina o le Silikon i luga e ala i le malosi tele | Leai se tasi | ||||||||||
| Afifiina | Kaseti Wafer e tele pe Pusa Wafer e tasi | ||||||||||
Ata Auiliili
Oloa e Fesoota'i
Tusi lau savali iinei ma lafo mai ia i matou






