4H/6H-P 6 inisi SiC wafer Zero MPD vasega Vasega Gaosiga Vasega Dummy

Fa'amatalaga Pupuu:

O le ituaiga 4H/6H-P 6-inisi SiC wafer o se mea semiconductor e faʻaaogaina i le gaosiga o masini eletise, e lauiloa i lona lelei tele o le faʻavevela, maualuga le voltage breakdown, ma le teteʻe atu i le vevela maualuga ma le ele. O le vasega gaosiga ma le Zero MPD (Micro Pipe Defect) e faʻamautinoa ai lona faʻatuatuaina ma le mautu i masini eletise eletise maualuga. O wafers vasega gaosiga e faʻaaogaina mo le gaosiga o masini tetele ma le pulea lelei o le lelei, ae o wafers dummy e faʻaaogaina muamua mo le faʻasaʻoina o le faagasologa ma le suʻeina o masini. O meatotino mataʻina o le SiC e faʻaaogaina lautele ai i masini eletise maualuga le vevela, maualuga le voltage, ma masini eletise maualuga le televave, e pei o masini eletise ma masini RF.


Fa'aaliga

4H/6H-P Ituaiga SiC Composite Substrates Laulau o parakalafa masani

6 inisi le lautele o le Silicon Carbide (SiC) Substrate Fa'amatalaga

Vasega Leai se gaosiga o le MPDVasega (Z) Vasega) Gaosiga MasaniVasega (P Vasega) Vasega Fa'ata'ita'i (D Vasega)
Lapoa 145.5 mm~150.0 mm
Mafiafia 350 μm ± 25 μm
Fa'asinomaga o le Wafer -Off'au: 2.0°-4.0° agai atu i le [1120] ± 0.5° mo le 4H/6H-P, I luga o le 'au:〈111〉± 0.5° mo le 3C-N
Mafiafia o le Micropipe 0 cm-2
Tete'e ituaiga-p 4H/6H-P ≤0.1 Ωꞏcm ≤0.3 Ωꞏcm
ituaiga-n 3C-N ≤0.8 mΩꞏcm ≤1 m Ωꞏcm
Fa'asinomaga Laulau Muamua 4H/6H-P -{1010} ± 5.0°
3C-N -{110} ± 5.0°
Umi Mafolafola Autū 32.5 mm ± 2.0 mm
Umi Mafolafola Lona Lua 18.0 mm ± 2.0 mm
Fa'asinomaga Mafolafola Lona Lua Fa'asaga i luga o le Silicon: 90° CW. mai le Prime flat ± 5.0°
Tuusaunoaga o le Pito 3 milimita 6 milimita
LTV/TTV/Aufana/Vau ≤2.5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm ≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm
Fa'alavelave Polani Ra≤1 nm
CMP Ra≤0.2 nm Ra≤0.5 nm
Māvaevae o Pito i le Malamalama Malosi Leai se tasi Umi fa'aputu ≤ 10 mm, umi e tasi ≤2 mm
Papa Hex e ala i le Malamalama Malosi Maualuga Eria fa'aputu ≤0.05% Eria fa'aputu ≤0.1%
Vaega Polytype e ala i le Malamalama Malosi Maualuga Leai se tasi Eria fa'aputu ≤3%
Fa'aaofia o le Carbon Va'aia Eria fa'aputu ≤0.05% Eria fa'aputu ≤3%
Maosi o le Silikon i le Malamalama Malosi Leai se tasi Umi fa'aputu ≤1 × lautele o le wafer
Fa'amamago Maualuga le Pito i le Malamalama Malosi E leai se mea e fa'atagaina ≥0.2mm le lautele ma le loloto 5 fa'atagaina, ≤1 mm ta'itasi
Fa'aleagaina o le Silikon i luga e ala i le malosi tele Leai se tasi
Afifiina Kaseti Wafer e tele pe Pusa Wafer e tasi

Fa'amatalaga:

※ E fa'atatau tapula'a o fa'aletonu i le fogāeleele atoa o le wafer vagana ai le vaega e le aofia ai pito. # E tatau ona siaki ia maosi i luga o le Si fa'atafafā o

O le ituaiga 4H/6H-P 6-inisi SiC wafer ma le Zero MPD grade ma le gaosiga po'o le dummy grade e fa'aaogaina lautele i fa'aoga eletise fa'aonaponei. O lona lelei tele o le fa'avevela, maualuga le breakdown voltage, ma le tete'e atu i siosiomaga faigata e fetaui lelei mo eletise eletise, e pei o ki maualuga-voltage ma inverters. O le Zero MPD grade e fa'amautinoa ai le la'ititi o fa'aletonu, e taua tele mo masini e maualuga le fa'atuatuaina. O wafers grade-production e fa'aaogaina i le gaosiga tele o masini eletise ma fa'aoga RF, lea e taua tele ai le fa'atinoga ma le sa'o. O wafers grade-dummy, i le isi itu, e fa'aaogaina mo le fa'atulagaina o le fa'agasologa, su'ega o masini, ma fa'ata'ita'iga, e mafai ai ona pulea lelei le lelei i siosiomaga gaosiga semiconductor.

O fa'amanuiaga o mea fa'apipi'i SiC ituaiga-N e aofia ai

  • Fa'avevela MaualugaE fa'aitiitia lelei e le wafer 4H/6H-P SiC le vevela, ma talafeagai ai mo fa'aoga eletise e maualuga le vevela ma le malosi.
  • Voltage Malepelepe MaualugaO lona gafatia e taulima ai voltage maualuluga e aunoa ma se faaletonu e matua fetaui lelei ai mo le eletise eletise ma galuega fesuia'i voltage maualuga.
  • Leai se MPD (Micro Pipe Defect) VasegaO le itiiti ifo o le mafiafia o ni faaletonu e mautinoa ai le maualuga o le faatuatuaina ma le faatinoga, e taua tele mo masini eletise faigata.
  • Vasega Gaosiga mo le Gaosiga Tele: Talafeagai mo le gaosiga tele o masini semiconductor maualuga le faatinoga ma tulaga faatonuina lelei maualuluga.
  • Vasega Fa'ata'ita'i mo Su'ega ma Fa'atulagaina: E mafai ai ona fa'aleleia atili le fa'agasologa, fa'ata'ita'iina o masini, ma le faia o fa'ata'ita'iga e aunoa ma le fa'aaogaina o wafers taugata mo le gaosiga.

I le aotelega, o wafers SiC 4H/6H-P 6-inisi ma le Zero MPD grade, production grade, ma le dummy grade e ofoina atu ni fa'amanuiaga taua mo le atina'eina o masini eletise maualuga le fa'atinoga. O nei wafers e aoga tele i fa'aoga e mana'omia ai le fa'agaoioiga maualuga i le vevela, maualuga le malosi o le eletise, ma le liua lelei o le eletise. O le Zero MPD grade e fa'amautinoa ai le la'ititi o fa'aletonu mo le fa'atinoga fa'atuatuaina ma mautu o masini, a'o lagolagoina e wafers o le gaosiga le gaosiga tele ma le fa'atonutonuina lelei o le lelei. O wafers dummy-grade e maua ai se fofo taugofie mo le fa'aleleia atili o le fa'agasologa ma le fa'atulagaina o masini, ma avea ai ma mea taua mo le gaosiga o semiconductor maualuga le sa'o.

Ata Auiliili

b1
b2

  • Muamua:
  • Sosoo ai:

  • Tusi lau savali iinei ma lafo mai ia i matou