6 inisi GaN-I-le-Safaira
150mm 6 inisi GaN i luga o le Silicon/Sapphire/SiC Epi-layer wafer Gallium nitride epitaxial wafer
O le sapphire substrate wafer e 6-inisi o se mea semiconductor maualuga le tulaga e aofia ai ni vaega o le gallium nitride (GaN) e totoina i luga o se sapphire substrate. O lenei mea e iai ona uiga lelei i felauaiga eletise ma e fetaui lelei mo le gaosia o masini semiconductor e maualuga le malosi ma le tele o taimi.
Metotia gaosiga: O le faagasologa gaosiga e aofia ai le totoina o vaega GaN i luga o se mea safaira e faʻaaoga ai metotia faʻaonaponei e pei o le metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) poʻo le molecular beam epitaxy (MBE). O le faagasologa o le deposition e faia i lalo o tulaga faʻatonutonuina e faʻamautinoa ai le maualuga o le tulaga lelei o le tioata ma le ata tutusa.
Fa'aoga 6-inisi GaN-On-Sapphire: O chips substrate sapphire e 6-inisi e fa'aaogaina lautele i feso'ota'iga microwave, radar systems, tekinolosi uaealesi ma optoelectronics.
O nisi o faʻaoga masani e aofia ai
1. Fa'amalosi eletise Rf
2. Alamanuia moli LED
3. Meafaigaluega feso'ota'iga feso'ota'iga uaealesi
4. Masini eletise i se siosiomaga vevela maualuga
5. Masini fa'aeletoronika
Fa'amatalaga o oloa
- Tele: O le lautele o le substrate e 6 inisi (pe tusa ma le 150 mm).
- Tulaga lelei o le fogāeleele: Ua fa'apupula lelei le fogāeleele ina ia maua ai le tulaga lelei tele o le fa'ata.
- Mafiafia: E mafai ona fa'apitoa le mafiafia o le vaega GaN e tusa ai ma mana'oga fa'apitoa.
- Afifiina: O le mea fa'apipi'i ua fa'apipi'iina ma le fa'aeteete i mea e tete'e ai i le vai e puipuia ai mai le fa'aleagaina i le taimi o felauaiga.
- Pito mo le tu'uina: O lo'o i ai i le mea fa'apipi'i ni pito fa'apitoa mo le tu'uina e fa'afaigofie ai le fa'atulagaina ma le fa'agaoioiga i le taimi o le sauniuniga o le masini.
- Isi fa'atulagaga: O fa'atulagaga fa'apitoa e pei o le manifinifi, tete'e ma le fa'aputuga o le fa'aaogaina o vaila'au e mafai ona fetu'una'i e tusa ai ma mana'oga o tagata fa'atau.
Faatasi ai ma o latou meatotino sili ona lelei ma le tele o faʻaoga, o wafers substrate safaira e 6-inisi o se filifiliga faʻatuatuaina mo le atinaʻeina o masini semiconductor maualuga le faʻatinoga i le tele o alamanuia.
| Substrate | 6” 1mm <111> ituaiga-p Si | 6” 1mm <111> ituaiga-p Si |
| Averesi o le Matotoru o le Epi | ~5um | ~7um |
| Epi ThickUnif | <2% | <2% |
| Aufana | +/-45um | +/-45um |
| Ta'e | <5mm | <5mm |
| BV Fa'atulagaina | >1000V | >1400V |
| HEMT Al% | 25-35% | 25-35% |
| HEMT Matotoru Averesi | 20-30nm | 20-30nm |
| Tapuni SiN Fa'apipi'i | 5-60nm | 5-60nm |
| 2DEG fa'ai'uga | ~1013cm-2 | ~1013cm-2 |
| Fe'avea'i | ~2000cm2/Vs (<2%) | ~2000cm2/Vs (<2%) |
| Rsh | <330ohm/sq (<2%) | <330ohm/sq (<2%) |
Ata Auiliili
