8 inisi SiC silicon carbide wafer 4H-N ituaiga 0.5mm gaosiga vasega su'esu'ega vasega aganu'u polesi substrate

Fa'amatalaga Puupuu:

Silicon carbide (SiC), e lauiloa foi o le silicon carbide, o se semiconductor o loʻo i ai le silikoni ma le carbon faʻatasi ai ma le vailaʻau SiC. SiC e faʻaaogaina i masini eletise semiconductor e faʻaogaina i le maualuga o le vevela poʻo le maualuga o le mamafa, poʻo mea uma e lua. O le SiC foi o se tasi o vaega taua o le LED, o se mea masani mo le faʻatupulaia o masini GaN, ma e mafai foʻi ona faʻaaogaina e avea o se vevela mo LED maualuga.
8-inisi silicon carbide substrate o se vaega taua o le lona tolu o augatupulaga o mea semiconductor, o loʻo i ai uiga o le maualuga o le malepelepe malosi o le fanua, maualuga le vevela, maualuga eletise eletise, ma isi, ma e talafeagai mo le faia o le vevela maualuga, maualuga-voltage, ma masini eletise maualuga. O lona fa'aoga autu e aofia ai ta'avale eletise, felauaiga o nofoaafi, eletise eletise maualuga ma suiga, photovoltaics, feso'ota'iga 5G, teuina o le malosi, aerospace, ma nofoaga autu o fa'amaumauga a le AI.

Auina imeli ia matou

Fa'amatalaga Oloa

Faailoga o oloa

O uiga autu o le 8-inisi silicon carbide substrate 4H-N ituaiga e aofia ai:

1. Microtubule density: ≤ 0.1/cm² poʻo lalo ifo, pei ole microtubule density ua matua faʻaititia i lalo ifo o le 0.05/cm² i nisi o oloa.
2. Fa'asologa o foliga tioata: 4H-SiC fua fa'atatau tioata e o'o atu i le 100%.
3. Resistivity: 0.014 ~ 0.028 Ω·cm, poʻo le sili atu mautu i le va o 0.015-0.025 Ω·cm.
4. Fa'asagaga i luga: CMP Si Face Ra≤0.12nm.
5. Mafiafia: E masani lava 500.0±25μm poʻo 350.0±25μm.
6. Chamfering angle: 25±5 ° poʻo le 30±5 ° mo A1 / A2 faʻatatau i le mafiafia.
7. Aofa'i le tele o le va'aiga: ≤3000/cm².
8. Fa'aleagaina uamea i luga: ≤1E+11 atoms/cm².
9. Pi'o ma warpage: ≤ 20μm ma ≤2μm, faasologa.
O nei uiga e faia ai le 8-inisi silicon carbide substrates e taua tele le faʻaaogaina i le gaosiga o masini eletise eletise maualuga, maualuga-televave, ma le malosi.

8inch silicon carbide wafer e tele fa'aoga.

1. Masini eletise: SiC wafers o loʻo faʻaaogaina lautele i le gaosiga o masini eletise eletise e pei ole mana MOSFETs (metal-oxide-semiconductor field-effect transistors), Schottky diodes, ma modules integration power. Ona o le maualuga o le vevela, le maualuga o le malepelepe, ma le maualuga o le eletise eletise o le SiC, o nei masini e mafai ona ausia lelei, faʻaleleia le malosi o le liua i le maualuga o le vevela, maualuga-voltage, ma le maualuga o siosiomaga.

2. Optoelectronic masini: SiC wafers e taua tele i masini optoelectronic, faʻaaogaina e gaosia ai photodetectors, laser diodes, ultraviolet sources, ma isi mea sili atu o mata ma mea faʻaeletoroni sili a Silicon carbide e avea ma mea e filifilia, aemaise lava i talosaga e manaʻomia ai le vevela maualuga, maualuga maualuga, ma maualuga maualuga maualuga.

3. Radio Frequency (RF) Devices: E faʻaaogaina foi meataalo SiC e gaosia ai masini RF e pei o RF power amplifiers, suiga maualuga, RF sensors, ma isi mea. O le maualuga o le mafanafana o le SiC, uiga maualuga-televave, ma le maualalo o le gau e lelei ai mo talosaga RF e pei o fesoʻotaʻiga uaealesi ma faʻaogaina o le radar.

4. High-veamera eletise: Ona o le maualuga o le vevela ma le vevela elasticity, o loʻo faʻaogaina le SiC wafers e gaosia ai mea faʻaeletoroni ua fuafuaina e faʻaogaina i totonu o siosiomaga vevela maualuga, e aofia ai le maualuga o le vevela eletise eletise, masini, ma faʻatonutonu.

O auala autu o talosaga o le 8-inisi silicon carbide substrate 4H-N ituaiga e aofia ai le gaosiga o le maualuga-vevela, maualuga-tele, ma le maualuga-mana eletise masini, aemaise lava i le fanua o taavale faaeletonika, malosi o le la, gaosiga o le matagi, eletise. locomotives, servers, mea faigaluega fale, ma taavale eletise. E le gata i lea, o masini e pei o SiC MOSFETs ma Schottky diodes ua faʻaalia lelei le faʻatinoga i le fesuiaʻiina o alalaupapa, faʻataʻitaʻiga puʻupuʻu, ma faʻaogaina faʻaogaina, faʻaaogaina i le eletise eletise.

XKH e mafai ona faʻavasegaina ma mafiafia eseese e tusa ai ma manaʻoga o tagata faʻatau. O lo'o maua ni togafitiga fa'alilolilo eseese. Eseese ituaiga o doping (pei o le nitrogen doping) e lagolagoina. E mafai e le XKH ona tuʻuina atu le lagolago faʻapitoa ma faʻatalanoaga auaunaga e faʻamautinoa ai e mafai e tagata faʻatau ona foia faʻafitauli i le faagasologa o le faʻaaogaina. O le 8-inisi silicon carbide substrate ei ai tulaga lelei tele i tulaga o le faʻaitiitia o tau ma le faʻateleina o le gafatia, lea e mafai ona faʻaititia le tau o le iunite e tusa ma le 50% pe a faʻatusatusa i le 6-inisi substrate. E le gata i lea, o le faateleina o le mafiafia o le substrate 8-inisi e fesoasoani e faʻaitiitia ai le faʻaogaina o le geometrical ma le faʻaogaina o le pito i le taimi o masini, ma faʻaleleia atili ai fua.