8 inisi SiC silicon carbide wafer 4H-N ituaiga 0.5mm vasega gaosiga suʻesuʻega vasega faʻapitoa faʻapipiʻi

8 inisi SiC silicon carbide wafer 4H-N ituaiga 0.5mm vasega gaosiga suʻesuʻega vasega faʻapitoa valiina Ata Faʻaalia

Fa'amatalaga Pupuu:

O le Silicon carbide (SiC), e taʻua foʻi o le silicon carbide, o se semiconductor e iai le silicon ma le carbon ma le fua faʻatatau vailaʻau SiC. E faʻaaogaina le SiC i masini eletise semiconductor e faʻagaoioia i le vevela maualuga poʻo le mamafa maualuga, poʻo ia mea uma e lua. O le SiC o se tasi foʻi o vaega taua o le LED, o se mea masani mo le faʻatupuina o masini GaN, ma e mafai foʻi ona faʻaaogaina o se mea e faʻavevela ai le vevela mo LED e maualuga le malosi.
O le 8-inisi le silicon carbide substrate o se vaega taua o le tupulaga lona tolu o mea semiconductor, e iai uiga o le malosi maualuga o le breakdown field, maualuga le thermal conductivity, maualuga le electron saturation drift rate, ma isi mea faapena, ma e talafeagai mo le faia o masini eletise e maualuga le vevela, maualuga le voltage, ma le malosi tele. O ona vaega autu e aofia ai taavale eletise, felauaiga i nofoaafi, felauaiga ma le suiga o le malosi maualuga le voltage, photovoltaics, fesootaiga 5G, teuina o le malosi, vaalele, ma nofoaga autu o faamatalaga o le malosi komepiuta a le AI.

Auina mai se imeli ia i matou

Fa'aaliga

O vaega autū o le 8-inisi silicon carbide substrate 4H-N ituaiga e aofia ai:

1. Mafiafia o le Microtubule: ≤ 0.1/cm² pe maualalo ifo, e pei o le mafiafia o le microtubule ua matuā faʻaitiitia i lalo ifo o le 0.05/cm² i nisi oloa.
2. Fua fa'atatau o le foliga o le tioata: O le fua fa'atatau o le foliga o le tioata 4H-SiC e o'o atu i le 100%.
3. Tete'e: 0.014~0.028 Ω·cm, pe sili atu le mautu i le va o le 0.015-0.025 Ω·cm.
4. Ma'ale'ale o le fogā'ele'ele: CMP Si Face Ra≤0.12nm.
5. Mafiafia: E masani lava 500.0±25μm poʻo le 350.0±25μm.
6. Tulimanu o le fa'ase'e: 25±5° po'o le 30±5° mo le A1/A2 e fuafua i le mafiafia.
7. Mafiafia atoa o le see ese o le vaega: ≤3000/cm².
8. Fa'aleagaina o u'amea i luga: ≤1E+11 atoms/cm².
9. Pi'o ma fe'avea'i: ≤ 20μm ma le ≤2μm, i le faasologa lava lea.
O nei uiga e taua tele ai le faʻaaogaina o le 8-inisi silicon carbide substrates i le gaosiga o masini eletise e maualuga le vevela, maualuga le saoasaoa, ma le malosi.

E tele fa'aoga o le 8-inisi silicon carbide wafer.

1. Masini eletise: O wafers SiC e faʻaaogaina lautele i le gaosiga o masini eletise eletise e pei o le power MOSFETs (metal-oxide-semiconductor field-effect transistors), Schottky diodes, ma power integration modules. Ona o le maualuga o le thermal conductivity, maualuga le breakdown voltage, ma le maualuga o le electron mobility o le SiC, e mafai e nei masini ona ausia le lelei ma le maualuga o le faʻatinoga o le liua o le eletise i siosiomaga maualuga le vevela, maualuga le voltage, ma le maualuga o le frequency.

2. Masini optoelektronika: E taua tele le sao o masini optoelektronika SiC i masini optoelektronika, e fa'aaogaina e gaosia ai photodetectors, laser diodes, ultraviolet sources, ma isi. O uiga sili ona lelei o le silicone carbide i le opitika ma le eletise e avea ai ma meafaitino e filifilia, aemaise lava i fa'aoga e mana'omia ai le vevela maualuga, maualuga le saoasaoa, ma le maualuga o le malosi.

3. Masini Fa'asalalau Fa'asalalau (RF): E fa'aaogaina fo'i sipa SiC e gaosia ai masini RF e pei o fa'amalosi eletise RF, ki fa'asalalau maualuga, masini fa'asalalau RF, ma isi mea. O le mautu maualuga o le vevela o le SiC, uiga maualuga o fa'asalalau, ma le maualalo o mea e leiloa e fetaui lelei mo fa'aoga RF e pei o feso'ota'iga uaealesi ma faiga radar.

4. Mea fa'aeletoronika e maualuga le vevela: Ona o le maualuga o le mautu o le vevela ma le fetuutuuna'i o le vevela, e fa'aaogaina ai masini SiC e gaosia ai oloa fa'aeletoronika ua mamanuina e fa'agaoioia i siosiomaga e maualuga le vevela, e aofia ai mea fa'aeletoronika eletise e maualuga le vevela, masini fa'alogo, ma mea e pulea ai.

O auala autū e faʻaaogaina ai le 8-inisi silicon carbide substrate 4H-N ituaiga e aofia ai le gaosiga o masini eletise e maualuga le vevela, maualuga le televave, ma le malosi, aemaise lava i vaega o masini eletise taʻavale, malosiaga o le la, gaosiga o le malosiaga o le matagi, lokomotipi eletise, 'auʻaunaga, masini eletise i totonu o fale, ma taʻavale eletise. E le gata i lea, o masini e pei o SiC MOSFET ma Schottky diodes ua faʻaalia le lelei tele o le faʻatinoga i le fesuiaʻiina o televave, faʻataʻitaʻiga o le puʻupuʻu, ma faʻaoga o le inverter, ma faʻaaogaina ai i masini eletise eletise.

E mafai ona fa'apitoa le XKH i ni mafiafia eseese e tusa ai ma mana'oga o tagata fa'atau. E maua ni togafitiga eseese mo le fa'apala ma le fa'apulusaina o le fogā'ele'ele. E lagolagoina ituaiga eseese o le fa'apala (e pei o le fa'apala o le nitrogen). E mafai e le XKH ona tu'uina atu le lagolago fa'apitoa ma auaunaga fesoasoani e fa'amautinoa ai e mafai e tagata fa'atau ona foia fa'afitauli i le fa'agasologa o le fa'aaogaina. O le 8-inisi silicon carbide substrate e iai ni fa'amanuiaga taua i le tulaga o le fa'aitiitia o tau ma le fa'ateleina o le gafatia, lea e mafai ona fa'aitiitia ai le tau o le iunite chip e tusa ma le 50% pe a fa'atusatusa i le 6-inisi substrate. E le gata i lea, o le fa'ateleina o le mafiafia o le 8-inisi substrate e fesoasoani e fa'aitiitia ai le fa'aletonu o le geometric ma le pi'o o pito i le taimi o le masini, ma fa'aleleia atili ai le fua.