8Inisi 200mm 4H-N SiC Wafer Conductive dummy su'esu'ega vasega

Ona o lona tulaga faʻapitoa faʻaletino ma mea faʻaeletoroni, 200mm SiC wafer semiconductor mea e faʻaaogaina e fatu ai le maualuga-faʻatinoga, maualuga-vevela, faʻavevela faʻavevela, ma masini eletise maualuga. 8inch SiC substrate tau o loʻo faʻaitiitia malie aʻo faʻateleina le tekonolosi ma faʻatupulaia le manaʻoga. O atina'e fa'atekonolosi talu ai nei e o'o atu ai i le gaosiga o fua o le gaosiga o 200mm SiC wafers. O mea taua o le SiC wafer semiconductor mea faʻatusatusa i Si ma GaAs wafers: O le eletise eletise o le 4H-SiC i le taimi o le avalanche e sili atu nai lo le faʻatonuga o le maualuga maualuga atu nai lo tau tutusa mo Si ma GaAs. O lenei mea e tau atu i se faʻaititia tele i luga o le setete resistivity Ron. Le maualalo i luga o le setete resistivity, faʻatasi ma le maualuga maualuga o le taimi nei ma le vevela conductivity, faʻatagaina le faʻaogaina o tamaʻi oti mo masini eletise. O le maualuga o le vevela o le SiC e faʻaitiitia ai le faʻafefeteina o le pu. O mea faʻaeletoroni o masini e faʻavae i SiC wafers e matua mautu i le taimi ma luga ole vevela, lea e faʻamautinoa ai le maualuga o le faʻatuatuaina o oloa. Silicon carbide e matua teteʻe i faʻamalama malosi, lea e le faʻaleagaina ai mea faʻaeletoroni o le pu. Ole maualuga fa'atapula'aina o le vevela ole ga'o ole tioata (sili atu i le 6000C) e mafai ai ona e faia ni masini fa'atuatuaina tele mo tulaga fa'aletonu ma fa'aoga fa'apitoa. I le taimi nei, e mafai ona matou tuʻuina atu 200mmSiC wafers laʻititi ma faʻaauau pea ma maua ni faʻasoa i totonu o le faleteuoloa.