HPSI SiC Wafer ≥90% Transmittance Optical Grade mo Matatioata AI/AR
Fa'atomuaga Autū: Le Matafaioi a HPSI SiC Wafers i Matatioata AI/AR
O le HPSI (High-Purity Semi-Insulating) Silicon Carbide wafers o ni wafers fa'apitoa e iloga i le maualuga o le tete'e (>10⁹ Ω·cm) ma le matua maualalo lava le mafiafia o mea sese. I matatioata AI/AR, e masani lava ona avea ma mea autu mo tioata fa'asalalau opitika, e foia ai fa'alavelave e feso'ota'i ma mea fa'asalalau masani e tusa ai ma foliga manifinifi ma le malamalama, fa'asa'olotoina o le vevela, ma le fa'atinoga opitika. Mo se fa'ata'ita'iga, o matatioata AR e fa'aogaina tioata fa'asalalau opitika SiC e mafai ona ausia se va'aiga lautele (FOV) o le 70°–80°, a'o fa'aitiitia le mafiafia o se vaega tioata e tasi i le 0.55mm ma le mamafa i le 2.7g, e fa'aleleia atili ai le mafanafana o le ofuina ma le va'aia lelei.
Uiga Autū: E Faapefea Ona Faamalosia e le Mea SiC le Fuafuaga o Matatioata AI/AR
Fa'asinomaga Maualuga o le Refractive ma le Fa'aleleia atili o le Fa'atinoga o le Optical
- E toetoe lava 50% le maualuga o le refractive index a le SiC (2.6–2.7) nai lo le tioata masani (1.8–2.0). O lenei mea e mafai ai ona faia ni fausaga waveguide e sili atu ona manifinifi ma lelei, ma faʻalauteleina ai le FOV. O le refractive index maualuga e fesoasoani foʻi e taofia le "aafiaga o le nuanua" e masani ona iai i waveguide diffractive, ma faʻaleleia atili ai le mama o le ata.
Malosiaga Fa'apitoa i le Puleaina o le Vevela
- Faatasi ai ma le maualuga o le conductivity thermal e oo atu i le 490 W/m·K (e latalata i le apamemea), e mafai e le SiC ona fa'amama vave le vevela e mafua mai i modules o le Micro-LED display. O lenei mea e puipuia ai le fa'aletonu o le fa'atinoga po'o le matua o le masini ona o le vevela maualuga, ma fa'amautinoa ai le umi o le ola o le maa ma le mautu maualuga.
Malosi ma le Tumau Fa'amekanika
- O le malosi o le SiC e 9.5 i le Mohs (lona lua i le taimane), e ofoina atu ai le tete'e tele i valu, ma avea ai ma mea lelei mo mata tioata e masani ona fa'aaogaina. E mafai ona pulea le ma'a'a o lona luga i le Ra < 0.5 nm, ma fa'amautinoa ai le maualalo o le leiloa ma le tutusa lelei o le fesiitaiga o le malamalama i totonu o waveguides.
Fetaui'aiga o Meatotino Eletise
- O le tete'e o le HPSI SiC (>10⁹ Ω·cm) e fesoasoani e puipuia ai le fa'alavelaveina o fa'ailoilo. E mafai fo'i ona avea o se mea e fa'aaogaina lelei mo masini eletise, e fa'aleleia atili ai vaega o le pulega o le eletise i mata tioata AR.
Fa'atonuga Autū mo le Talosaga
Vaega Autū o le Optical mo le AI/AR Glasses
- Tioata Fa'asalalau Fa'alava: O mea fa'avae SiC e fa'aaogaina e fatu ai ni ta'iala fa'alava opitika manifinifi e lagolagoina ai le FOV tele ma le ave'esea o le aafiaga o le nuanua.
- Papatusi ma Prisma Fa'amalama: E ala i le tipiina ma le fa'apulusaina fa'apitoa, e mafai ona fa'agasolo le SiC i ni fa'amalama puipui po'o ni prisma opitika mo matatioata AR, fa'aleleia atili ai le fesiita'iga o le malamalama ma le tete'e atu i le ofuina.
Talosaga Fa'alauteleina i Isi Matā'upu
- Elektronika Malosiaga: Fa'aaogaina i tulaga fa'atelevave ma le malosi tele e pei o inverters o ta'avale malosi fou ma pulega afi fa'apisinisi.
- Quantum Optics: Galue o se nofoaga autu mo nofoaga o lanu, e faʻaaogaina i mea e fai ai fesoʻotaʻiga quantum ma masini e iloa ai.
Fa'atusatusaga o Fa'amatalaga o le HPSI SiC Substrate 4 Inisi ma le 6 Inisi
| Fa'atulagaga | Vasega | Substrate 4-Inisi | Substrate 6-Inisi |
| Diameteri | Vasega Z / Vasega D | 99.5 mm - 100.0 mm | 149.5 mm - 150.0 mm |
| Poly-ituaiga | Vasega Z / Vasega D | 4H | 4H |
| Mafiafia | Vasega Z | 500 μm ± 15 μm | 500 μm ± 15 μm |
| Vasega D | 500 μm ± 25 μm | 500 μm ± 25 μm | |
| Fa'asinomaga o le Wafer | Vasega Z / Vasega D | I luga o le au: <0001> ± 0.5° | I luga o le au: <0001> ± 0.5° |
| Mamafa o le Micropipe | Vasega Z | ≤ 1 cm² | ≤ 1 cm² |
| Vasega D | ≤ 15 cm² | ≤ 15 cm² | |
| Tete'e | Vasega Z | ≥ 1E10 Ω·cm | ≥ 1E10 Ω·cm |
| Vasega D | ≥ 1E5 Ω·cm | ≥ 1E5 Ω·cm | |
| Fa'asinomaga Laulau Muamua | Vasega Z / Vasega D | (10-10) ± 5.0° | (10-10) ± 5.0° |
| Umi Mafolafola Autu | Vasega Z / Vasega D | 32.5 mm ± 2.0 mm | Notch |
| Umi Mafolafola Lona Lua | Vasega Z / Vasega D | 18.0 mm ± 2.0 mm | - |
| Fa'aesea o Pito | Vasega Z / Vasega D | 3 milimita | 3 milimita |
| LTV / TTV / Aufana / Fa'alava | Vasega Z | ≤ 2.5 μm / ≤ 5 μm / ≤ 15 μm / ≤ 30 μm | ≤ 2.5 μm / ≤ 6 μm / ≤ 25 μm / ≤ 35 μm |
| Vasega D | ≤ 10 μm / ≤ 15 μm / ≤ 25 μm / ≤ 40 μm | ≤ 5 μm / ≤ 15 μm / ≤ 40 μm / ≤ 80 μm | |
| Le ma'a'a | Vasega Z | Polani Ra ≤ 1 nm / CMP Ra ≤ 0.2 nm | Polani Ra ≤ 1 nm / CMP Ra ≤ 0.2 nm |
| Vasega D | Polani Ra ≤ 1 nm / CMP Ra ≤ 0.2 nm | Polani Ra ≤ 1 nm / CMP Ra ≤ 0.5 nm | |
| Mavaevae o Pito | Vasega D | Eria fa'aputu ≤ 0.1% | Umi fa'aputu ≤ 20 mm, tasi ≤ 2 mm |
| Eria o le Polytype | Vasega D | Eria fa'aputu ≤ 0.3% | Eria fa'aputu ≤ 3% |
| Fa'aaofia Va'aia o le Carbon | Vasega Z | Eria fa'aputu ≤ 0.05% | Eria fa'aputu ≤ 0.05% |
| Vasega D | Eria fa'aputu ≤ 0.3% | Eria fa'aputu ≤ 3% | |
| Maosi o le Luga Silikon | Vasega D | 5 e fa'atagaina, ta'itasi ≤1mm | Umi fa'aputu ≤ 1 x lautele |
| Fa'apala'au pito | Vasega Z | E leai se mea e fa'atagaina (lautele ma loloto ≥0.2mm) | E leai se mea e fa'atagaina (lautele ma loloto ≥0.2mm) |
| Vasega D | 7 fa'atagaina, ta'itasi ≤1mm | 7 fa'atagaina, ta'itasi ≤1mm | |
| Fa'ase'e o le Fa'asolo o Sikulima | Vasega Z | - | ≤ 500 cm² |
| Afifiina | Vasega Z / Vasega D | Kaseti Wafer e tele pe Pusa Wafer e tasi | Kaseti Wafer e tele pe Pusa Wafer e tasi |
Auaunaga XKH: Gafatia Fa'atasi mo le Gaosiga ma le Fa'atulagaina
O le kamupani XKH e iai ona gafatia fa'apipi'i tu sa'o mai mea mata e o'o atu i wafers ua mae'a, e aofia ai le fa'asologa atoa o le tuputupu a'e o le substrate SiC, tipiina, fa'apulusaina, ma le fa'agasologa fa'apitoa. O fa'amanuiaga autu o auaunaga e aofia ai:
- Eseesega o meafaitino:E mafai ona matou tuʻuina atu ituaiga eseese o wafer e pei o le ituaiga 4H-N, ituaiga 4H-HPSI, ituaiga 4H/6H-P, ma le ituaiga 3C-N. E mafai ona fetuʻunaʻi le teteʻe, mafiafia, ma le faʻatulagaina e tusa ai ma manaʻoga.
- 'Fa'atulagaina o le Tele Fetuutuuna'i:Matou te lagolagoina le fa'agasologaina o wafer mai le 2-inisi i le 12-inisi le lautele, ma e mafai fo'i ona fa'agasoloina ni fausaga fa'apitoa e pei o fasi sikuea (e pei o le 5x5mm, 10x10mm) ma prism e le tutusa le lapo'a.
- Pulea le Sa'o o le Vasega Opitika:E mafai ona faatumauina le Wafer Total Thickness Variation (TTV) i le <1μm, ma le roughness o le fogaeleele i le Ra < 0.3 nm, e ausia ai manaoga o le flatness nano-level mo masini waveguide.
- Tali Vave a le Maketi:O le faʻataʻitaʻiga pisinisi tuʻufaʻatasi e faʻamautinoa ai le suiga lelei mai le R&D i le gaosiga tele, e lagolagoina ai mea uma mai le faʻamaoniaina o vaega laiti i uta tetele (taimi e faʻatautaia ai e masani lava 15-40 aso).

Fesili e Masani Ona Fesiligia e uiga i le HPSI SiC Wafer
Q1: Aiseā ua manatu ai o le HPSI SiC o se mea lelei atoatoa mo tioata taiala o galu AR?
A1: O lona maualuga o le fa'asinomaga o le refractive (2.6–2.7) e mafai ai ona fa'atulaga ni fausaga manifinifi ma sili atu ona lelei o le waveguide e lagolagoina ai se va'aiga lautele (e pei o le 70°–80°) a'o fa'aumatia ai le "aafiaga o le nuanua".
Q2: E faʻapefea ona faʻaleleia e le HPSI SiC le puleaina o le vevela i mata tioata AI/AR?
A2: Faatasi ai ma le malosiaga fa'avevela e o'o atu i le 490 W/m·K (e latalata i le kopa), e fa'asa'olotoina lelei ai le vevela mai vaega e pei o Micro-LEDs, ma fa'amautinoa ai le mautu o le fa'atinoga ma le umi o le ola o le masini.
Q3: O a ni fa'amanuiaga tumau e ofoina mai e le HPSI SiC mo mata tioata e mafai ona ofuina?
A3: O lona ma'a'a tulaga ese (Mohs 9.5) e maua ai le tete'e sili atu i maosi, ma avea ai ma se mea e matua umi lava mo le fa'aoga i aso uma i matatioata AR e masani ona fa'aaogaina e tagata fa'atau.













