LiTaO3 Wafer 2inisi-8inisi 10x10x0.5 mm 1sp 2sp mo Fesootaiga 5G/6G

Fa'amatalaga Pupuu:

O le LiTaO3 Wafer (lithium tantalate wafer), o se mea taua i semiconductors ma optoelectronics o le tupulaga lona tolu, e faʻaaogaina lona vevela maualuga o le Curie (610°C), lautele le manino (0.4–5.0 μm), maualuga le piezoelectric coefficient (d33 > 1,500 pC/N), ma le maualalo o le dielectric loss (tanδ < 2%) e faʻafouina ai fesoʻotaʻiga 5G, photonic integration, ma masini quantum. Faʻaaogaina tekinolosi faʻaonaponei faʻapitoa e pei o le physical vapor transport (PVT) ma le chemical vapor deposition (CVD), e tuʻuina atu e le XKH ni X/Y/Z-cut, 42°Y-cut, ma periodically poled (PPLT) wafers i le 2–8-inisi formats, e faʻaalia ai le surface roughness (Ra) <0.5 nm ma le micropipe density <0.1 cm⁻². O a matou auaunaga e aofia ai le Fe doping, chemical reduction, ma le Smart-Cut heterogeneous integration, e faʻafetaui ai le maualuga o le faʻatinoga o optical filters, infrared detectors, ma quantum light sources. O lenei meafaitino e faʻaosofia ai le alualu i luma i le faʻaitiitiga, faʻagaioiga maualuga, ma le mautu o le vevela, ma faʻavavevaveina ai le suia i totonu o le atunuʻu i tekinolosi taua.

Auina mai se imeli ia i matou

Fa'aaliga

Fa'atulagaga fa'apitoa

Igoa	LiTaO3 vasega-optika	Tulaga o le laulau leo LiTaO3
Axial	Z tipi + / - 0.2 °	36 ° Y tipi / 42 ° Y tipi / X tipi (+ / - 0.2°)
Lapo'a	76.2mm + / - 0.3mm/ 100±0.2mm	76.2mm + /-0.3mm 100mm + /-0.3mm 0r 150±0.5mm
Va'alele o le aso	22mm + / - 2mm	22mm + /-2mm 32mm + /-2mm
Mafiafia	500um + /-5mm 1000um + /-5mm	500um + /-20mm 350um + /-20mm
TTV	≤ 10um	≤ 10um
Vevela o le Curie	605 °C + / - 0.7 °C (metotia DTA)	605 °C + / -3 °C (metotia DTA
Tulaga lelei o le fogāeleele	Fa'apala'au itu lua	Fa'apala'au itu lua
Pito ua fa'api'opi'o	fa'ata'amilomilo o le pito	fa'ata'amilomilo o le pito

Uiga Autū

1. Fa'atinoga Fa'aeletise ma Fa'a-Opitika
· Electro-Optic Coefficient: e o'o atu le r33 i le 30 pm/V (X-cut), 1.5× maualuga atu nai lo le LiNbO3, e mafai ai ona fa'afetaui le ultra-wideband electro-optic modulation (>40 GHz bandwidth).
· Tali Lautele o le Spectral: O le vaega o le fesiitaiga e 0.4–5.0 μm (8 mm le mafiafia), faatasi ai ma le pito e mitiia ai le ultraviolet e maualalo e oo atu i le 280 nm, e fetaui lelei mo lasers UV ma masini quantum dot.
· Fa'atusatusaga o le Pyroelectric Maualalo: dP/dT = 3.5×10⁻⁴ C/(m²·K), ma fa'amautinoa ai le mautu i totonu o masini fa'a-infrared e maualuga le vevela.

2. Meatotino Fa'avevela ma Fa'amekanika
· Fa'avevela Maualuga: 4.6 W/m·K (X-cut), fa'afa le maualuga o le kuata, e mafai ona fa'aauau le ta'amilosaga vevela -200–500°C.
· Fa'asologa Maualalo o le Fa'alauteleina o le Vevela: CTE = 4.1×10⁻⁶/K (25–1000°C), e fetaui ma le afifiina silicon e fa'aitiitia ai le atuatuvalega o le vevela.
3. Puleaina o Fa'aletonu ma le Sa'o o le Fa'agasologa
· Mafiafia o le Micropipe: <0.1 cm⁻² (8-inisi wafers), mafiafia o le dislocation <500 cm⁻² (fa'amaonia e ala i le KOH etching).
· Tulaga Lelei o le Luga: Fa'apupula CMP i le Ra <0.5 nm, e ausia ai mana'oga o le lamolemole o le EUV lithography-grade.

Fa'aoga Autu

Itūlau autū	Faʻataʻitaʻiga o Talosaga	Fa'amanuiaga Fa'atekinolosi
Fesootaiga Va'ai	100G/400G DWDM lasers, silicon photonics hybrid modules	O le lautele o le fesiitaiga o le LiTaO3 wafer ma le maualalo o le leiloa o le waveguide (α <0.1 dB/cm) e mafai ai ona faʻalauteleina le C-band.
Fesootaiga 5G/6G	Fa'amama SAW (1.8–3.5 GHz), fa'amama BAW-SMR	O wafers tipi e 42°Y e ausia le Kt² >15%, e maua ai le maualalo o le insertion loss (<1.5 dB) ma le maualuga o le roll-off (>30 dB).
Tekinolosi Quantum	Mea e iloa ai le photon e tasi, punaoa fa'aliliuina fa'asolosolo	O le maualuga o le nonlinear coefficient (χ(2)=40 pm/V) ma le maualalo o le aofaʻi o le pogisa (<100 aofaʻiga/s) e faʻaleleia atili ai le quantum fidelity.
Sensoring Alamanuia	Sensors o le mamafa o le vevela maualuga, transformers o le tafega	O le tali piezoelectric a le LiTaO3 wafer (g33 >20 mV/m) ma le onosa'i i le vevela maualuga (>400°C) e fetaui lelei ma siosiomaga ogaoga.

Auaunaga a le XKH

1. Faia o le Wafer Fa'apitoa

· Tele ma le Tipiina: Wafers 2–8-inisi ma le tipi X/Y/Z, tipi 42°Y, ma tipi tulimanu fa'apitoa (±0.01° fa'apalepale).

· Pulea o le Fa'aopoopoina o le Fa'aopoopoina o le Fa'aopoopoina o le Fa'aopoopoina o le Fe ma le Mg e ala i le metotia Czochralski (vaega o le fa'aputuga 10¹⁶–10¹⁹ cm⁻³) e fa'aleleia atili ai le fa'aogaina o le eletise ma le mautu o le vevela.

2. Tekonolosi Fa'agasologa Maualuga
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· Periodic Poling (PPLT): Tekonolosi Smart-Cut mo wafers LTOI, e ausia ai le sa'o o le vaitaimi o le ±10 nm ma le liua o le quasi-phase-matched (QPM).

· Tuufaatasiga Eseese: O fa'aputuga LiTaO3 fa'atasi ai ma le Si-based (POI) fa'atasi ai ma le pulea o le mafiafia (300–600 nm) ma le fa'avevela e o'o atu i le 8.78 W/m·K mo fa'amama SAW e maualuga le taimi.

3. Faiga o Pulega o le Tulaga Lelei
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· Su'ega Mai le I'uga i le I'uga: Raman spectroscopy (fa'amaoniga o le polytype), XRD (crystallinity), AFM (morphology o luga), ma le su'ega o le optical uniformity (Δn <5×10⁻⁵).

4. Lagolago i le Sapalai o Sapalai i le Lalolagi Atoa
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· Malosiaga Gaosiga: Gaosiga faalemasina >5,000 wafers (8-inisi: 70%), faatasi ai ma le tiliva faafuasei i totonu o le 48 itula.

· Feso'ota'iga o Loketisi: Afifiina i Europa, Amerika i Matu, ma Asia-Pasefika e ala i uta i le ea/sami fa'atasi ai ma afifiina e pulea le vevela.