P-ituaiga 4H/6H-P 3C-N ITIITI SIC substrate 4 inisi 〈111〉± 0.5°Zero MPD
4H/6H-P Ituaiga SiC Composite Substrates Laulau o parakalafa masani
4 inisi le lautele o le SiliconMea Fa'apipi'i Carbide (SiC) Fa'amatalaga
| Vasega | Leai se gaosiga o le MPD Vasega (Z) Vasega) | Gaosiga Masani Vasega (P Vasega) | Vasega Fa'ata'ita'i (D Vasega) | ||
| Lapoa | 99.5 mm~100.0 mm | ||||
| Mafiafia | 350 μm ± 25 μm | ||||
| Fa'asinomaga o le Wafer | Ese mai le itu: 2.0°-4.0° agai atu i le [11]20] ± 0.5° mo le 4H/6H-P, On axis:〈111〉± 0.5° mo le 3C-N | ||||
| Mafiafia o le Micropipe | 0 cm-2 | ||||
| Tete'e | ituaiga-p 4H/6H-P | ≤0.1 Ωꞏcm | ≤0.3 Ωꞏcm | ||
| ituaiga-n 3C-N | ≤0.8 mΩꞏcm | ≤1 m Ωꞏcm | |||
| Fa'asinomaga Laulau Muamua | 4H/6H-P | - {1010} ± 5.0° | |||
| 3C-N | - {110} ± 5.0° | ||||
| Umi Mafolafola Autū | 32.5 mm ± 2.0 mm | ||||
| Umi Mafolafola Lona Lua | 18.0 mm ± 2.0 mm | ||||
| Fa'asinomaga Mafolafola Lona Lua | Fa'asaga i luga o le Silicon: 90° CW. mai le Prime flat±5.0° | ||||
| Tuusaunoaga o le Pito | 3 milimita | 6 milimita | |||
| LTV/TTV/Aufana/Vau | ≤2.5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm | ≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm | |||
| Fa'alavelave | Polani Ra≤1 nm | ||||
| CMP Ra≤0.2 nm | Ra≤0.5 nm | ||||
| Māvaevae o Pito i le Malamalama Malosi | Leai se tasi | Umi fa'aputu ≤ 10 mm, umi e tasi ≤2 mm | |||
| Papa Hex e ala i le Malamalama Malosi Maualuga | Eria fa'aputu ≤0.05% | Eria fa'aputu ≤0.1% | |||
| Vaega Polytype e ala i le Malamalama Malosi Maualuga | Leai se tasi | Eria fa'aputu ≤3% | |||
| Fa'aaofia o le Carbon Va'aia | Eria fa'aputu ≤0.05% | Eria fa'aputu ≤3% | |||
| Maosi o le Silikon i le Malamalama Malosi | Leai se tasi | Umi fa'aputu ≤1 × lautele o le wafer | |||
| Fa'amamago Maualuga le Pito i le Malamalama Malosi | E leai se mea e fa'atagaina ≥0.2mm le lautele ma le loloto | 5 fa'atagaina, ≤1 mm ta'itasi | |||
| Fa'aleagaina o le Silikon i luga e ala i le malosi tele | Leai se tasi | ||||
| Afifiina | Kaseti Wafer e tele pe Pusa Wafer e tasi | ||||
Fa'amatalaga:
※E fa'atatau tapula'a o fa'aletonu i le fogāeleele atoa o le apa se'i vagana ai le vaega e le aofia ai pito. # E tatau ona siaki na'o le mata o le Si ia maosi.
O le P-type 4H/6H-P 3C-N ituaiga 4-inisi SiC substrate ma le 〈111〉± 0.5° orientation ma le Zero MPD grade e faʻaaogaina lautele i faʻaoga eletise maualuga. O lona lelei tele o le thermal conductivity ma le maualuga o le breakdown voltage e fetaui lelei mo eletise eletise, e pei o high-voltage switches, inverters, ma power converters, e faʻagaoioia i tulaga ogaoga. E le gata i lea, o le teteʻe atu o le substrate i le vevela maualuga ma le ele e mautinoa ai le mautu o le faʻatinoga i siosiomaga faigata. O le saʻo o le 〈111〉± 0.5° orientation e faʻaleleia atili ai le saʻo o le gaosiga, ma fetaui lelei mo masini RF ma faʻaoga maualuga, e pei o radar systems ma masini fesoʻotaʻiga uaealesi.
O fa'amanuiaga o mea fa'apipi'i SiC N-type e aofia ai:
1. Fa'avevela Maualuga: Fa'asa'olotoina lelei o le vevela, e talafeagai ai mo siosiomaga e maualuga le vevela ma fa'aoga e maualuga le malosi.
2. Malosiaga Maualuga e Malepelepe ai: E fa'amautinoa ai le fa'atinoga fa'atuatuaina i galuega fa'atino maualuga-voltage e pei o le power converters ma inverters.
3. Zero MPD (Micro Pipe Defect) Vasega: Fa'amautinoa le la'ititi o fa'aletonu, e maua ai le mautu ma le fa'atuatuaina maualuga i masini eletise taua.
4. Tete'e i le 'Ele: E malosi i siosiomaga faigata, ma fa'amautinoa ai le aoga mo se taimi umi i tulaga faigata.
5. Sa'o <111 > ± 0.5° Fa'asinomaga: E mafai ai ona fa'atulaga sa'o i le taimi o le gaosiga, fa'aleleia atili ai le fa'atinoga o masini i fa'aoga maualuga ma RF.
I le aotelega, o le P-type 4H/6H-P 3C-N ituaiga 4-inisi SiC substrate ma le 〈111〉± 0.5° orientation ma le Zero MPD grade o se mea e sili ona lelei le faatinoga e fetaui lelei mo faʻaoga eletise faʻapitoa. O lona lelei tele o le thermal conductivity ma le maualuga o le breakdown voltage e fetaui lelei mo eletise eletise e pei o high-voltage switches, inverters, ma converters. O le Zero MPD grade e faʻamautinoa ai le laʻititi o faʻaletonu, ma maua ai le faʻatuatuaina ma le mautu i masini taua. E le gata i lea, o le teteʻe atu o le substrate i le ele ma le vevela maualuga e faʻamautinoa ai le tumau i siosiomaga faigata. O le saʻo o le 〈111〉± 0.5° orientation e mafai ai ona faʻatulaga saʻo i le taimi o le gaosiga, ma avea ai ma mea e matua talafeagai mo masini RF ma faʻaoga maualuga.
Ata Auiliili
