Meafaigaluega Fa'amama mo le 4 Inisi-12 Inisi Safaira/SiC/Si Wafers Processing​

1. Fa'apipi'i Fa'apitoa
• 3D ICs: Fa'amama fa'amama e mafai ai ona fa'aputu i luga sa'o le fa'aputuga (fa'ata'ita'iga, fa'aputuga HBM), ausia le 10x maualuga le bandwidth ma le 50% fa'aitiitia le fa'aogaina o le eletise e fa'atusatusa i fofo 2.5D. O meafaigaluega e lagolagoina le fusifusia hybrid ma le TSV (Through-Silicon Via) tuʻufaʻatasia, taua mo AI / ML processors manaʻomia <10 μm interconnect pitch. Mo se faʻataʻitaʻiga, 12-inisi wafers manifinifi i le 25 μm faʻatagaina faʻapipiʻi 8+ laulau aʻo tausia <1.5% warpage, taua mo masini LiDAR faiga.

• Fa'apipi'i Fa'amama: I le fa'aitiitia o le mafiafia o le wafer i le 30 μm, e fa'apu'upu'u le umi o feso'ota'iga i le 50%, fa'aitiitia le tuai o fa'ailo (<0.2 ps/mm) ma mafai ai le 0.4 mm ultra-thin chiplets mo SoCs feavea'i. O le faʻagasologa e faʻaogaina ai faʻamaʻi-taui algorithms e puipuia ai le warpage (> 50 μm TTV pule), faʻamautinoa le faʻatuatuaina i talosaga RF maualuga.

2. Malosi Faaeletonika
• IGBT Modules: Thinning i le 50 μm faʻaitiitia ai le vevela i le <0.5 ° C / W, faʻatagaina 1200V SiC MOSFETs e faʻaogaina i le 200 ° C vevela vevela. O a matou mea faigaluega e faʻaaogaina le tele o vaega o le olo (maofa: 46 μm grit → fine: 4 μm grit) e faʻaumatia ai le faʻaleagaina o lalo, ausia> 10,000 taamilosaga o le faʻalagolago i le uila. E taua tele lenei mea mo EV inverters, lea e 10 μm-mafiafia SiC wafers faʻaleleia le saoasaoa o suiga ile 30%.
• GaN-on-SiC Power Devices: Wafer thinning to 80 μm faʻaleleia le eletise eletise (μ> 2000 cm² / V·s) mo 650V GaN HEMTs, faʻaitiitia le gau o le faʻauluina i le 18%. O le fa'agasologa e fa'aogaina ai le fa'aogaina o le laser e taofia ai le ta'e i le taimi o le manifinifi, ausia le <5 μm pito kiliva mo RF power amplifiers.

3. Optoelectronics​
• GaN-on-SiC LEDs: 50 μm sapphire substrates faʻaleleia le faʻaogaina o le malamalama (LEE) i le 85% (vs. 65% mo 150 μm wafers) e ala i le faʻaitiitia o le faʻaogaina o photon. Ole pulea ole TTV e sili ona maualalo ole masini (<0.3 μm) e fa'amautinoa ai le fa'aogaina o le fa'aogaina o le LED i le 12-inisi, e taua tele mo fa'aaliga Micro-LED e mana'omia <100nm le umi o le galu.
• Silicon Photonics: 25μm-mafiafia silicon wafers mafai ai le 3 dB/cm maualalo fa'aliga gau i ta'iala, e mana'omia mo 1.6 Tbps transceivers optical. O le faʻagasologa e tuʻufaʻatasia ai le faʻalelei o le CMP e faʻaitiitia ai le gaogao o luga i le Ra <0.1 nm, faʻaleleia le faʻaogaina lelei e 40% .

4. MEMS Sensors
• Accelerometers: 25 μm silicon wafers ausia SNR> 85 dB (vs. 75 dB mo 50 μm wafers) e ala i le faʻateleina o le faʻamaonia-mass displacement sensitivity. O la matou faiga fa'ato'aga lua e fa'amalieina le fa'alili o fa'amamafa, fa'amautinoaina e <0.5% le ma'ale'ale fa'asolo i luga -40°C i le 125°C. O talosaga e aofia ai le su'esu'eina o fa'alavelave tau ta'avale ma le su'esu'eina o gaioioiga AR/VR.

• Va'aiga O'omi: Fa'amama i le 40 μm e mafai ai ona fa'afua ai le 0-300 pa o fua fa'atasi ma le <0.1% FS hysteresis. O le fa'aogaina o le so'otaga le tumau (va'a tioata), o le fa'agasologa e 'alofia ai le gau o le wafer i le taimi o le togiina i tua, ausia le <1 μm le fa'apalepale maualuga mo masini IoT alamanuia.

• Fa'atekonolosi Fa'atekinisi: O a matou masini fa'ama'i mafi e fa'atasia ai le oloina fa'ainisinia, CMP, ma le plasma etching e fo'ia ai lu'itau o meafaitino eseese (Si, SiC, Sapphire). Mo se faʻataʻitaʻiga, e manaʻomia e le GaN-on-SiC le faʻaogaina o meaʻai (uila taimane + plasma) e faapaleni ai le maaa ma le faʻalauteleina o le vevela, ae o le MEMS e manaʻomia le laʻititi o le 5 nm e ala i le CMP polishing.

• Aafiaga o Alamanuia: E ala i le faʻamalosia o faʻamaʻi manifinifi, sili atu le faʻatinoga, o lenei tekinolosi e faʻauluina ai mea fou i AI chips, 5G mmWave modules, ma mea faʻaeletonika fetuutuunai, faʻatasi ai ma TTV tolerances <0.1 μm mo faʻaaliga gaugau ma <0.5 μm mo masini LiDAR masini.