4H-semi HPSI 2 inisi SiC substrate wafer Production Dummy Research grade

Fa'amatalaga Pupuu:

O le 2inisi silicon carbide single crystal substrate wafer o se mea e sili ona lelei lona faatinoga ma ona uiga faaletino ma vailaʻau mataʻina. E faia i le silicon carbide single crystal e sili ona mama ma le lelei tele o le faʻavevela, mautu faʻamekanika ma teteʻe atu i le vevela maualuga. Faʻafetai i lona faiga sauniuni saʻo ma mea e sili ona lelei, o lenei chip o se tasi o mea e sili ona fiafia i ai mo le sauniaina o masini eletise e sili ona lelei i le tele o matāʻupu.


Fa'aaliga

O le substrate silicon carbide e fa'amamago ai vaega SiC

O le substrate silicon carbide e tele lava ina vaevaeina i le ituaiga conductive ma le semi-insulating, o le conductive silicon carbide substrate i le n-type substrate e masani ona faʻaaogaina mo le epitaxial GaN-based LED ma isi masini optoelectronic, SiC-based power electronics, ma isi, ma le semi-insulating SiC silicon carbide substrate e masani ona faʻaaogaina mo le epitaxial gaosiga o masini eletise maualuga GaN. E le gata i lea, o le maualuga o le mama o le semi-insulation HPSI ma le SI semi-insulation e eseese, o le maualuga o le mama o le semi-insulation carrier concentration e 3.5 * 1013 ~ 8 * 1015/cm3 range, ma le maualuga o le electron mobility; o le semi-insulation o se mea e maualuga le teteʻe, e matua maualuga lava le resistivity, e masani ona faʻaaogaina mo substrates o masini microwave, e le o conductive.

Pepa SiC substrate sheet Silicon Carbide e fa'amamago fa'apitoa

O le fausaga o le tioata SiC e fuafua ai lona tulaga faaletino, e faatatau i le Si ma le GaAs, o le SiC e iai ona meatotino faaletino; o le lautele o le fusi faasaina e tele, e latalata i le 3 taimi nai lo le Si, ina ia mautinoa o le masini e galue i le vevela maualuga i lalo o le faatuatuaina umi; o le malosi o le fanua faaleagaina e maualuga, e 10 taimi nai lo le Si, ina ia mautinoa o le gafatia o le voltage o le masini, faaleleia atili ai le taua o le voltage o le masini; o le fua faatatau o le eletise saturation e tele, e 2 taimi nai lo le Si, ina ia faateleina ai le tele o le masini ma le mamafa o le malosiaga; o le conductivity vevela e maualuga, e sili atu nai lo le Si, o le conductivity vevela e maualuga, o le conductivity vevela e maualuga, o le conductivity vevela e maualuga, o le conductivity vevela e maualuga, o le conductivity vevela e sili atu nai lo le Si, o le conductivity vevela e maualuga, o le conductivity vevela e maualuga. O le conductivity vevela maualuga, e sili atu i le 3 taimi nai lo le Si, e faateleina ai le gafatia o le masini e faasalalau ai le vevela ma iloa ai le laititi o le masini.

Ata Auiliili

4H-semi HPSI 2 inisi SiC (1)
4H-semi HPSI 2 inisi SiC (2)

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