4H-semi HPSI 2inch SiC substrate wafer Gaosia Dummy Su'esu'ega vasega

Silicon carbide substrate e masani ona vaevaeina i le conductive ma semi-insulating type, conductive silicon carbide substrate i le n-type substrate e masani ona faʻaaogaina mo epitaxial GaN-faʻavae LED ma isi masini optoelectronic, SiC-faʻavae eletise eletise, ma isi, ma semi- insulating SiC silicon carbide substrate e masani ona faʻaaogaina mo le faʻaogaina o le epitaxial o GaN masini eletise eletise maualuga. E le gata i lea, e ese le maualuga o le semi-insulation HPSI ma le SI semi-insulation, maualuga le mama semi-inulation carrier concentration of 3.5 * 1013 ~ 8 * 1015/cm3 range, with high electron mobility; semi-insulation o se mea maualuga-tetee, resistivity e matua maualuga, e masani ona faʻaaogaina mo masini microwave substrates, non-conductive.

Semi-insulating Silicon Carbide substrate pepa SiC wafer

O le fausaga tioata SiC e fuafua ai lona tino, faʻatatau i Si ma GaAs, SiC mo mea faʻaletino; faʻasaina lautele lautele lautele, latalata i le 3 taimi o le Si, ia mautinoa o loʻo galue le masini i le maualuga o le vevela i lalo o le faʻatuatuaina umi; e maualuga le malosi o le fanua malepe, e 1O taimi e sili atu i le Si, e faʻamautinoa ai o le malosi o le eletise, faʻaleleia le tau eletise masini; saturation fua faatatau electron e tele, e 2 taimi o le Si, e faateleina ai le tele o le masini ma le malosi density; e maualuga le fa'avevelaina o le vevela, e sili atu nai lo le Si, e maualuga le fa'aogaina o le vevela, e maualuga le fa'aogaina o le vevela, e maualuga le maualuga o le vevela, e sili atu nai lo le Si, e maualuga le vevela, e maualuga le vevela. O le maualuga o le vevela, sili atu i le 3 taimi o le Si, faʻateleina le malosi o le vevela o le masini ma iloa ai le miniaturization o le masini.