4H-semi HPSI 2inch SiC substrate wafer Gaosia Dummy Su'esu'ega vasega

Fa'amatalaga Puupuu:

2inch silicon carbide tasi tioata substrate wafer o se mea maualuga-faatinoga ma meatotino tulaga ese faaletino ma vailaau.O lo'o faia i le silicon carbide carbide tasi mea tioata ma sili atu le lelei o le vevela, mautu fa'ainisinia ma le maualuga o le vevela.Faʻafetai i lona faʻatonuga maualuga o le sauniuniga ma mea e sili ona lelei, o lenei puʻe o se tasi o mea e sili ona fiafia i ai mo le sauniaina o masini eletise maualuga i le tele o matata.


Fa'amatalaga Oloa

Faailoga o oloa

Semi-insulating silicon carbide substrate SiC wafers

Silicon carbide substrate e masani ona vaevaeina i le conductive ma semi-insulating type, conductive silicon carbide substrate i le n-type substrate e masani ona faʻaaogaina mo epitaxial GaN-faʻavae LED ma isi masini optoelectronic, SiC-faʻavae eletise eletise, ma isi, ma semi- insulating SiC silicon carbide substrate e masani ona faʻaaogaina mo le faʻaogaina o le epitaxial o GaN masini eletise eletise maualuga.E le gata i lea, e ese le maualuga o le semi-insulation HPSI ma le SI semi-insulation, maualuga le mama semi-inulation carrier concentration of 3.5 * 1013 ~ 8 * 1015/cm3 range, with high electron mobility;semi-insulation o se mea maualuga-tetee, resistivity e matua maualuga, e masani ona faʻaaogaina mo masini microwave substrates, non-conductive.

Semi-insulating Silicon Carbide substrate pepa SiC wafer

O le fausaga tioata SiC e fuafua ai lona tino, faʻatatau i Si ma GaAs, SiC mo mea faʻaletino;faʻasaina lautele lautele lautele, latalata i le 3 taimi o le Si, ia mautinoa o loʻo galue le masini i le maualuga o le vevela i lalo o le faʻatuatuaina umi;e maualuga le malosi o le fanua malepe, e 1O taimi e sili atu i le Si, e faʻamautinoa ai o le malosi eletise eletise, faʻaleleia le tau eletise masini;saturation fua faatatau electron e tele, e 2 taimi o le Si, e faateleina ai le tele o le masini ma le malosi density;e maualuga le fa'avevelaina o le vevela, e sili atu nai lo le Si, e maualuga le fa'aogaina o le vevela, e maualuga le fa'aogaina o le vevela, e maualuga le maualuga o le vevela, e sili atu nai lo le Si, e maualuga le vevela, e maualuga le vevela.O le maualuga o le vevela, sili atu i le 3 taimi o le Si, faʻateleina le malosi o le vevela o le masini ma iloa ai le miniaturization o le masini.

Auiliili Ata

4H-semi HPSI 2 inisi SiC (1)
4H-semi HPSI 2 inisi SiC (2)

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