4inch Semi-faalumaina SiC wafers HPSI SiC substrate Prime Gaosia vasega

Fa'amatalaga Puupuu:

O le 4-inisi le maualuga-mama semi-insulated silicon carbide lua itu poles ipu e masani ona faʻaaogaina i le 5G fesoʻotaʻiga ma isi faʻalapotopotoga, faʻatasi ai ma le lelei o le faʻaleleia atili o le alaleo o le leitio, faʻamaonia mamao mamao, faʻalavelave faʻalavelave, saoasaoa maualuga. , fa'asalalauga fa'amatalaga tetele ma isi fa'aoga, ma ua manatu o le mea e sili ona lelei mo le faia o masini eletise microwave.

Auina imeli ia matou

Fa'amatalaga Oloa

Faailoga o oloa

Fa'amatalaga o oloa

Silicon carbide (SiC) o se mea faʻapipiʻi semiconductor e aofia ai elemene carbon ma silicon, ma o se tasi o mea sili ona lelei mo le faia o masini maualuga-vevela, maualuga-aveve, malosi-maualuga ma maualuga-voltage. Pe a faatusatusa i mea masani silicon (Si), o le lautele faasolitulafono lautele o le silicon carbide e tolu taimi o le silicon; o le conductivity vevela e 4-5 taimi o le silikoni; o le gau gau e 8-10 taimi o le silikoni; ma o le electron saturation drift rate e 2-3 taimi o le silicon, lea e fetaui ma manaʻoga o le alamanuia faʻaonaponei mo le maualuga-mana, maualuga-voltage, ma le maualuga, ma e masani ona faʻaaogaina e faia ai le saoasaoa maualuga, maualuga- taimi, malosi-maualuga ma moli-emitting vaega faaeletoroni, ma ona vaega i lalo o talosaga e aofia ai grid atamai, taavale malosi fou, photovoltaic matagi malosi, 5G fesootaiga, ma isi. I le fanua o masini eletise, silicon carbide diodes ma MOSFET ua amata ona avea. fa'atau pisinisi.

Tulaga lelei ole SiC wafers/SiC substrate

Tete'e maualuga o le vevela. O le lautele faʻasaina o le silicon carbide e 2-3 taimi o le silicon, o lea e le mafai ai e le eletise ona oso i le maualuga o le vevela ma e mafai ona tatalia le maualuga o le vevela, ma o le faʻafefe o le silicon carbide e 4-5 taimi o le silicon, faia. e faigofie ai ona fa'amama ese le vevela mai le masini ma fa'ataga mo se maualuga fa'atapula'aina o le vevela fa'agaioia. O uiga maualuga-vevela e mafai ona matua faʻateleina ai le malosi o le mana, aʻo faʻaitiitia manaʻoga mo le faʻaogaina o le vevela, faʻateleina le mama ma faʻaititia le pito.

Tete'e eletise maualuga. Ole malosi ole malepelepe ole Silicon carbide e 10 taimi nai lo le silikoni, e mafai ai ona tatalia voltage maualuga, ma sili atu ona talafeagai mo masini maualuga.

Tete'e maualuga. Silicon carbide e faaluaina le saturation electron drift rate o le silicon, e mafua ai ona le o iai ana masini i le faagasologa o le tapuni i le mea o loʻo iai nei, e mafai ona faʻaleleia lelei le faʻaogaina o masini, e ausia ai le miniaturization masini.

Malosi maualalo gau. Silicon carbide o loʻo i ai se laʻititi laʻititi i luga o le tetee pe a faʻatusatusa i mea faʻapipiʻi, maualalo le gau o le faʻaogaina; i le taimi lava e tasi, o le maualuga o le bandwidth o le silicon carbide e matua faʻaitiitia ai le leakage o loʻo i ai nei, leiloa le malosi; e le gata i lea, o masini carbide silicon i le faagasologa o le tapunia e le o iai i le mea o loʻo i ai nei toso, maualalo suiga gau.