3inisi Dia76.2mm SiC substrates HPSI Prime Research ma le Dummy grade

Mea e fa'a'ave'ave ai le eletise: e fa'atatau i le tete'e o le 15 ~ 30mΩ-cm silicon carbide substrate. O le silicon carbide epitaxial wafer e tupu mai le mea e fa'a'ave'ave ai le silicon carbide substrate e mafai ona toe faia i masini eletise, e fa'aaogaina lautele i ta'avale eletise fou, photovoltaics, smart grids, ma felauaiga i luga o nofoaafi.

O le semi-insulating substrate e faasino i le resistivity e maualuga atu nai lo le 100000Ω-cm silicon carbide substrate, e masani ona faʻaaogaina i le gaosiga o masini leitio microwave gallium nitride, o le faavae lea o le fanua fesoʻotaʻiga uaealesi.

O se vaega autū lea i le matata o fesootaʻiga uaealesi.

E fa'aaogaina mea e fa'asu'i ai le eletise ma mea e fa'avevela ai le eletise mai le silicone carbide i le tele o masini eletise ma masini eletise, e aofia ai ae le fa'atapula'aina i mea nei:

Meafaigaluega semiconductor malosi (fa'avevela): O mea fa'avae o le silicone carbide e maualuga le malosi o le breakdown field ma le fa'avevela, ma e talafeagai mo le gaosiga o transistors ma diodes malosi ma isi masini.

Masini eletise RF (semi-insulated): O mea fa'apipi'i Silicon Carbide e maualuga le saoasaoa o le fesuia'iga ma le onosa'i i le malosi, e talafeagai mo fa'aoga e pei o RF power amplifiers, masini microwave ma fesuia'iga maualuga.

Masini optoelektronika (semi-insulated): O mea fa'avae o le silicone carbide e tele le va o le malosi ma maualuga le mautu o le vevela, e talafeagai mo le faia o photodiodes, solar cells ma laser diodes ma isi masini.

Sensors vevela (conductive): O mea fa'apipi'i silicone carbide e maualuga le conductivity vevela ma le mautu o le vevela, e talafeagai mo le gaosiga o sensors vevela maualuga ma meafaigaluega e fua ai le vevela.

O le faagasologa o le gaosiga ma le faʻaogaina o mea e faʻaaogaina ai le silicon carbide conductive ma le semi-insulating substrates e tele naua vaega ma gafatia, ma maua ai avanoa fou mo le atinaʻeina o masini eletise ma masini eletise.