P-ituaiga SiC wafer 4H/6H-P 3C-N 6inisi mafiafia 350 μm ma le Primary Flat Orientation

Fa'amatalaga Puupuu:

O le P-ituaiga SiC wafer, 4H / 6H-P 3C-N, o se mea semiconductor 6-inisi ma le mafiafia o le 350 μm ma le tulaga muamua mafolafola, fuafuaina mo talosaga faaeletonika alualu i luma. E lauiloa i le maualuga o le vevela, le maualuga o le gau, ma le tetee atu i le vevela vevela ma siosiomaga pala, o lenei wafer e talafeagai mo masini eletise maualuga. O le P-type doping e faʻaalia ai pu e avea ma ave faʻatau muamua, faʻapena lelei mo eletise eletise ma RF talosaga. O lona fausaga malosi e faʻamautinoa ai le faʻatinoina o le faʻatinoga i lalo o le maualuga-voltage ma tulaga maualuga-televave, faʻaogaina lelei mo masini eletise, eletise eletise maualuga, ma le faʻaogaina o le malosi maualuga. Ole fa'ata'ita'iga mafolafola muamua fa'amautinoaina le sa'o sa'o ile fa'agasologa ole gaosiga, tu'uina atu le fa'atumauina i le fa'againa o masini.

Auina imeli ia matou

Fa'amatalaga Oloa

Faailoga o oloa

Fa'amatalaga4H/6H-P Ituaiga SiC Composite Substrates Laulau fa'asologa masani

6 inisi le lautele Silicon Carbide (SiC) Fa'apalapala Fa'amatalaga

Vasega			Zero MPD GaosigaVasega (Z Vasega)	Gaosiga Fa'ata'atiaVasega (P Vasega)	Fa'ailoga Tulaga (D Vasega)
Diamita			145.5 mm~150.0 mm
mafiafia			350 μm ± 25 μm
Fa'asinomaga ole Wafer			-Offaxis: 2.0°-4.0° agai i le [1120] ± 0.5° mo 4H/6H-P, I luga ole axis:〈111〉± 0.5° mo 3C-N
Micropipe Density			0 cm-2
Tete'e	p-ituaiga 4H/6H-P		≤0.1 Ωꞏcm		≤0.3 Ωꞏcm
	n-ituaiga 3C-N		≤0.8 mΩꞏcm		≤1 m Ωꞏcm
Primary Flat Orientation		4H/6H-P	-{1010} ± 5.0°
		3C-N	-{110} ± 5.0°
Primary Flat Umi			32.5 mm ± 2.0 mm
Lua Mafolafola Umi			18.0 mm ± 2.0 mm
Tulaga Lua mafolafola			Silisi fa'asaga i luga: 90° CW. mai Prime flat ± 5.0°
Tuusaunoaga Tupito			3 mm		6 mm
LTV/TTV/Bow/Warp			≤2.5 μm/≤5 μm/≤15 μm/≤30 μm		≤10 μm/≤15 μm/≤25 μm/≤40 μm
Talatala			Polani Ra≤1 nm
			CMP Ra≤0.2 nm		Ra≤0.5 nm
Ta'eta'e Tu'u I le Malamalama Maualuluga			Leai		Fa'aputu umi ≤ 10 mm, tasi umi≤2 mm
Papatusi Hex I Malamalama Maualuga Maualuga			Vaega fa'aopoopo ≤0.05%		Vaega fa'aopoopo ≤0.1%
Polytype Areas I le Malamalama Maualuga			Leai		Vaega fa'aopoopo≤3%
Vaaiga Carbon Inclusions			Vaega fa'aopoopo ≤0.05%		Vaega fa'aopoopo ≤3%
Su'ega Sili Sili I luga o le Malamalama Maualuga			Leai		Fa'aopoopo umi≤1×wafer diameter
Sisi Chips Maualuluga I Malosiaga Malamalama			Leai se faatagaina ≥0.2mm lautele ma loloto		5 faatagaina, ≤1 mm taitasi
Silicon Surface Contamination I le Malosi Maualuga			Leai
afifiina			Tele-wafer kaseti po'o se atigipusa ta'itoatasi

Fa'amatalaga:

※ Fa'atapula'a fa'aletonu e fa'atatau i luga atoa o le fa'ato'aga se'i vagana ai le pito e fa'ate'aina. # E tatau ona siaki matasi i luga o foliga o

O le P-ituaiga SiC wafer, 4H / 6H-P 3C-N, faʻatasi ai ma lona 6-inisi le tele ma le 350 μm mafiafia, e taua tele i le gaosiga o pisinisi o eletise eletise maualuga. O lona fa'aogaina lelei o le vevela ma le maualuga o le eletise malepelepe e lelei mo le gaosiga o vaega e pei o suiga o le eletise, diodes, ma transistors fa'aaogaina i siosiomaga maualuga-vevela e pei o ta'avale eletise, eletise eletise, ma malosiaga fa'afouina. O le malosi o le wafer e fa'atino lelei i tulaga faigata e fa'amautinoa ai le fa'atuatuaina o le fa'atinoga i mea tau alamanuia e mana'omia ai le maualuga o le malosi ma le malosi. E le gata i lea, o lona tulaga muamua mafolafola fesoasoani i le faʻaogaina saʻo i le taimi o le faʻaogaina o masini, faʻaleleia le lelei o le gaosiga ma le tutusa o oloa.

O mea lelei ole N-type SiC composite substrates e aofia ai

Amioga vevela maualuga: P-ituaiga SiC wafers e fa'amama lelei le vevela, fa'apena lelei mo talosaga maualuga-vevela.
Malosi maualuga malepe: Mafai ona tatalia voltages maualuga, faʻamautinoa le faʻamaoni i le eletise eletise ma masini eletise maualuga.
Tete'e i Siosiomaga Saua: Lelei le tumau i tulaga ogaoga, e pei o le maualuga o le vevela ma siosiomaga pala.
Fa'aliliuga Malosi'i Lelei: O le P-type doping e faafaigofieina ai le pulea lelei o le mana, ma faia ai le wafer talafeagai mo faiga liua malosi.
Primary Flat Orientation: Faʻamautinoa le faʻaoga saʻo i le taimi o le gaosiga, faʻaleleia le saʻo ma le faʻaogaina o masini.
Fua Manifinifi (350 μm): O le mafiafia sili ona lelei o le wafer e lagolagoina ai le tu'ufa'atasia i masini fa'aeletoroni fa'aletonu, avanoa.

I le aotelega, o le P-type SiC wafer, 4H / 6H-P 3C-N, e ofoina atu le tele o tulaga lelei e faʻafaigofie ai mo pisinisi ma faʻaoga eletise. O le maualuga o le vevela ma le malepelepe eletise e mafai ai ona faʻatuatuaina le faʻaogaina i le maualuga o le vevela ma le maualuga-voltage siosiomaga, ae o lona tetee atu i tulaga faigata e mautinoa ai le tumau. O le P-type doping e mafai ai ona lelei le liua o le mana, ma fa'alelei mo le eletise eletise ma le malosi. E le gata i lea, o le fa'ata'ita'iga muamua a le wafer e fa'amautinoa ai le fa'aogaina tonu i le taimi o le gaosiga o le gaosiga, fa'aleleia le fa'amalieina o le gaosiga. Faʻatasi ai ma le mafiafia o le 350 μm, e fetaui lelei mo le tuʻufaʻatasia i masini faʻapitoa, faʻapipiʻi.